STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF18N60M2