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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.14

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 3.92

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.60

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, Hip247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, Hip247, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 270 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: SCT30N120

EUR 22.06

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, Hip247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, Hip247, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 270 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: SCT30N120

EUR 25.07

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STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, SMD, DO-214AC (SMA)

STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, SMD, DO-214AC (SMA), Configurazione diodi: Singolo, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Massima tensione di stand-off inversa: 270V, Corrente di picco impulso massima: 30A, Dimensioni: 4.6 x 2.9 x 2.45mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Lunghezza: 4.6mm, Massima corrente di perdita inversa: 5µA, Larghezza: 2.9mm, MPN: SMP30-270

EUR 0.32

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STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, SMD, DO-214AC (SMA)

STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, SMD, DO-214AC (SMA), Configurazione diodi: Singolo, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Massima tensione di stand-off inversa: 270V, Corrente di picco impulso massima: 30A, Dimensioni: 4.6 x 2.9 x 2.45mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Lunghezza: 4.6mm, Massima corrente di perdita inversa: 5µA, Larghezza: 2.9mm, MPN: SMP30-270

EUR 0.33

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STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, SMD, DO-214AC (SMA)

STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, SMD, DO-214AC (SMA), Configurazione diodi: Singolo, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Massima tensione di stand-off inversa: 270V, Corrente di picco impulso massima: 30A, Massima temperatura operativa: +150 °C, Dimensioni: 4.6 x 2.9 x 2.45mm, Lunghezza: 4.6mm, Massima corrente di perdita inversa: 5µA, Larghezza: 2.9mm, MPN: SMP30-270

EUR 0.30

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, Hip247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, Hip247, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 270 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +25 V, Tensione diretta del diodo: 3.5V, Altezza: 20.15mm, Lunghezza: 15.75mm, MPN: SCT30N120

EUR 22.35

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, Hip247, Su foro

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STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, SMD, DO-214AC (SMA)

STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, SMD, DO-214AC (SMA)

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