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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 4.94

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: STH200, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 5.04

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: STH200, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 4.19

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.8mm, MPN: STH310N10F7-2

EUR 4.87

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.8mm, MPN: STH310N10F7-6

EUR 5.61

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 2.85

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 5.19

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.25mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 3.27

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.25mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 5.96

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15.75mm, MPN: STP310N10F7

EUR 4.31

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.8mm, MPN: STH270N8F7-2

EUR 3.92

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP310N10F7

EUR 4.29

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP310N10F7

EUR 5.05

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 mΩ, 19,5 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 mΩ, 19,5 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 4.6mm, MPN: STB23NM60ND

EUR 2.69

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 4.17

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 2.27

1

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 410V, breakdown 200V, R 6

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 410V, breakdown 200V, R 6, Configurazione diodi: Singolo, Massima tensione di stand-off inversa: 180V, Dissipazione della potenza di picco dell'impulso: 5000W, Corrente di picco impulso massima: 146A, Dimensioni: 9.1 (Dia.) x 9.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BZW50-180

EUR 2.77

1

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 500 V, Tensione massima base emitter: 7 V, Dimensioni: 20.3 x 15.9 x 5.3mm, Altezza: 20.3mm, Lunghezza: 15.9mm, MPN: BUTW92

EUR 9.92

1

STMicroelectronics Regolatore di tensione L7809CV, 1.5A, 3-Pin, TO-220

STMicroelectronics Regolatore di tensione L7809CV, 1.5A, 3-Pin, TO-220, Tipo di regolatore: Tensione lineare, Tensione di uscita: 9 V, Regolazione di linea: 180 mV, Precisione: 2%, Tipo di montaggio: Su foro, Polarità: Positivo, Corrente di quiescenza: 8mA, Tipo di uscita: Fissa, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 15.75mm

EUR 0.55

1

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 410V, breakdown 200V, R 6

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 410V, breakdown 200V, R 6, Configurazione diodi: Singolo, Massima tensione di stand-off inversa: 180V, Dissipazione della potenza di picco dell'impulso: 5000W, Corrente di picco impulso massima: 146A, Dimensioni: 9.1 (Dia.) x 9.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BZW50-180

EUR 2.96

1

STMicroelectronics Regolatore di tensione L7809CV, 1.5A, 3-Pin, TO-220

STMicroelectronics Regolatore di tensione L7809CV, 1.5A, 3-Pin, TO-220, Tipo di regolatore: Tensione lineare, Tensione di uscita: 9 V, Regolazione di linea: 180 mV, Precisione: 2%, Tipo di montaggio: Su foro, Polarità: Positivo, Corrente di quiescenza: 8mA, Tipo di uscita: Fissa, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 15.75mm

EUR 0.55

1

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 410V, breakdown 200V, R 6

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 410V, breakdown 200V, R 6, Configurazione diodi: Singolo, Massima tensione di stand-off inversa: 180V, Dissipazione della potenza di picco dell'impulso: 5000W, Corrente di picco impulso massima: 146A, Massima temperatura operativa: +175 °C, Diametro: 9.1mm, Dimensioni: 9.1 (Dia.) x 9.1mm, MPN: BZW50-180

EUR 2.78

1

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 500 V, Tensione massima base emitter: 7 V, Dimensioni: 20.3 x 15.9 x 5.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 1,5 V, MPN: BUTW92

EUR 10.16

1

STMicroelectronics Regolatore di tensione L78M09ABDT-TR, 500mA, 3-Pin, DPAK

STMicroelectronics Regolatore di tensione L78M09ABDT-TR, 500mA, 3-Pin, DPAK, Tipo di regolatore: Tensione lineare, Numero di uscite: 1, Tensione di uscita: 9 V, Regolazione di linea: 100 mV, Precisione: ±2%, Regolazione del carico: 180 mV, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Polarità: Positivo, Corrente di quiescenza: 6mA, Tipo di uscita: Fissa, Dimensioni: 6.6 x 6.2 x 2.4mm

EUR 0.31

1

STMicroelectronics Regolatore di tensione L78M09ABDT-TR, 500mA, 3-Pin, DPAK

STMicroelectronics Regolatore di tensione L78M09ABDT-TR, 500mA, 3-Pin, DPAK, Tipo di regolatore: Tensione lineare, Numero di uscite: 1, Tensione di uscita: 9 V, Regolazione di linea: 100 mV, Precisione: ±2%, Regolazione del carico: 180 mV, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Polarità: Positivo, Corrente di quiescenza: 6mA, Tipo di uscita: Fissa, Dimensioni: 6.6 x 6.2 x 2.4mm

EUR 0.58

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 180 mΩ, 19,5 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 410V, breakdown 200V, R 6

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics Regolatore di tensione L7809CV, 1.5A, 3-Pin, TO-220

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 410V, breakdown 200V, R 6

STMicroelectronics Regolatore di tensione L7809CV, 1.5A, 3-Pin, TO-220

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 410V, breakdown 200V, R 6

STMicroelectronics Transistor NPN, 3 Pin, TO-247, 60 A, 250 V,, Montaggio su foro

STMicroelectronics Regolatore di tensione L78M09ABDT-TR, 500mA, 3-Pin, DPAK

STMicroelectronics Regolatore di tensione L78M09ABDT-TR, 500mA, 3-Pin, DPAK

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