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STMicroelectronics MOSFET, 0,21 O, 90 A, H?PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 0,21 O, 90 A, H?PAK-7, Montaggio superficiale, MPN: SCTH70N120G2V-7

EUR 39.03

1

STMicroelectronics MOSFET, 0,21 O, 90 A, H?PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 0,21 O, 90 A, H?PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 4.9V, Serie: SCTH70N, MPN: SCTH70N120G2V-7

EUR 44.31

1

STMicroelectronics MOSFET, 0,21 O, 90 A, H?PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 0,21 O, 90 A, H?PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 4.9V, Serie: SCTH70N, MPN: SCTH70N120G2V-7

EUR 36.02

1

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI High side, 6 canali, QFN, 28 V, 31.5A, 33 mO, 90 mO

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI High side, 6 canali, QFN, 28 V, 31.5A, 33 mO, 90 mO, MPN: VN9D30Q100FTR

EUR 1.94

1

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI High side, 6 canali, QFN, 28 V, 31.5A, 33 mO, 90 mO

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI High side, 6 canali, QFN, 28 V, 31.5A, 33 mO, 90 mO, MPN: VN9D30Q100FTR

EUR 2.43

1

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI High side, 6 canali, QFN, 28 V, 31.5A, 33 mO, 90 mO

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI High side, 6 canali, QFN, 28 V, 31.5A, 33 mO, 90 mO, MPN: VN9D30Q100FTR

EUR 2.65

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL90N6F7

EUR 0.74

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL90N6F7

EUR 1.51

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 0.95mm, Lunghezza: 5.4mm, MPN: STL90N6F7

EUR 1.13

1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: STR2P3LLH6

EUR 0.31

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 15.75mm, MPN: STP140N8F7

EUR 2.69

1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STR2P3LLH6

EUR 0.16

1

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STR2P3LLH6

EUR 0.48

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP16NF06L

EUR 1.23

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP140N8F7

EUR 2.69

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL36N55M5

EUR 6.66

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP16NF06L

EUR 1.23

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL36N55M5

EUR 3.66

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP140N8F7

EUR 3.16

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 0.95mm, MPN: STL36N55M5

EUR 5.66

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1 Ω, 2,5 A, LBB, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1 Ω, 2,5 A, LBB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 90 V, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Serie: RF3L05150CB4

EUR 163.73

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1 Ω, 2,5 A, LBB, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1 Ω, 2,5 A, LBB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 90 V, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Serie: RF3L05150CB4

EUR 163.73

1

STMicroelectronics MOSFET, 1 Ω, LBB, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 1 Ω, LBB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 90 V, Numero pin: 5, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Serie: RF3L, MPN: RF3L05250CB4

EUR 176.09

1

STMicroelectronics MOSFET, 1 Ω, LBB, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 1 Ω, LBB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 90 V, Numero pin: 5, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Serie: RF3L, MPN: RF3L05250CB4

EUR 163.73

1

STMicroelectronics Multiplexer VNQ860SP-E, 10-Pin, PowerSO

STMicroelectronics Multiplexer VNQ860SP-E, 10-Pin, PowerSO, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 9.5 x 7.6 x 3.65mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Segnale in ingresso: Single Ended, Lunghezza: 9.5mm, Dissipazione di potenza massima: 90 W

EUR 4.44

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics MOSFET, 0,21 O, 90 A, H?PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 0,21 O, 90 A, H?PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 0,21 O, 90 A, H?PAK-7, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI High side, 6 canali, QFN, 28 V, 31.5A, 33 mO, 90 mO

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI High side, 6 canali, QFN, 28 V, 31.5A, 33 mO, 90 mO

STMicroelectronics Switch di alimentazione CI High side, 6 canali, QFN, 28 V, 31.5A, 33 mO, 90 mO

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5,4 mΩ, 90 A, PowerFLAT, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 16 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1 Ω, 2,5 A, LBB, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1 Ω, 2,5 A, LBB, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 1 Ω, LBB, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, 1 Ω, LBB, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Multiplexer VNQ860SP-E, 10-Pin, PowerSO

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