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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 3.92
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 270 mΩ, 17 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.60
1

STMicroelectronics MOSFET, STW20NK50Z, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW20NK50Z, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 270 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.14
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 4.60
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17 A 500 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW20NK50Z

EUR 3.92
1