Renesas Electronics MOSFET, canale N, 0,0029 Ω, 50 A, WPAK, Montaggio superficiale
Renesas Electronics MOSFET, canale N, 0,0029 Ω, 50 A, WPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: BEAM, MPN: RJK0391DPA-00#J5A