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OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier TO-8, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 720nm, Taille: 5.21mm, Diamètre: 13.97mm, Photosensibilité de pointe: 0.14A/W, Polarité: Inverse, MPN: UV-035EQ

EUR 52.95

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OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier TO-8, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 720nm, Taille: 5.21mm, Diamètre: 13.97mm, Photosensibilité de pointe: 0.14A/W, Polarité: Inverse, MPN: UV-035EQ

EUR 49.49

1

OSI Optoelectronics Photodétecteur amplifié,, PIN-UDT-455, Infrarouge, 970nm, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photodétecteur amplifié,, Infrarouge, 970nm, Traversant, boîtier TO-5, Photosensibilité de pointe: 0.65A/W, Taille: 6.6mm, Gamme spectrale de sensibilité: 200 → 1 100 nm, 350 → 1 100 nm, MPN: PIN-UDT-455

EUR 59.90

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OSI Optoelectronics Photodétecteur amplifié,, PIN-UDT-455, Infrarouge, 970nm, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photodétecteur amplifié,, Infrarouge, 970nm, Traversant, boîtier TO-5, Photosensibilité de pointe: 0.65A/W, Taille: 6.6mm, Gamme spectrale de sensibilité: 200 → 1 100 nm, 350 → 1 100 nm, MPN: PIN-UDT-455

EUR 56.80

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OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-8, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 670nm, Nombre de broches: 3, Taille: 5.59mm, Diamètre: 15.24mm, Photosensibilité de pointe: 0.4A/W, Polarité: Inverse, MPN: PIN DL-4

EUR 160.25

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-8, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 670nm, Nombre de broches: 3, Taille: 5.59mm, Diamètre: 15.24mm, Photosensibilité de pointe: 0.4A/W, Polarité: Inverse, MPN: PIN DL-4

EUR 150.09

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OSI Optoelectronics Détecteur de position (PSD),, Si, Traversant

OSI Optoelectronics Détecteur de position (PSD),, Si, Traversant, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 670nm, Nombre de broches: 4, Longueur: 37.97mm, Largeur: 34.04mm, Taille: 3.05mm, Photosensibilité de pointe: 0.4A/W, Polarité: Inverse, MPN: PIN-DL-20C

EUR 624.70

1

OSI Optoelectronics Détecteur de position (PSD),, Si, Traversant

OSI Optoelectronics Détecteur de position (PSD),, Si, Traversant, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 670nm, Nombre de broches: 4, Longueur: 37.97mm, Largeur: 34.04mm, Taille: 3.05mm, Photosensibilité de pointe: 0.4A/W, Polarité: Inverse, MPN: PIN-DL-20C

EUR 667.02

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OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier Bas profil

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier Bas profil, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 254nm, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: UV-100L, Taille: 4.826mm, Diamètre: 25.4mm, Photosensibilité de pointe: 0.14A/W, Temps de croissance: 5.9ns

EUR 112.48

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OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, boîtier TO-8, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 1550nm, Longueur d'onde minimum détectée: 1100nm, Longueur d'onde maximum détectée: 1620nm, Taille: 6.6mm, Diamètre: 15.24mm, Photosensibilité de pointe: 0.95A/W, Polarité: Inverse, MPN: FCI-InGaAs-Q3000

EUR 490.29

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OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 980nm, Nombre de broches: 2, Longueur: 0.4pouce, Taille: 0.08pouce, Photosensibilité de pointe: 0.5A/W, Polarité: Inverse, Série: UV, Temps de croissance: 1µs, MPN: UV-035DQC

EUR 87.06

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OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 980nm, Nombre de broches: 2, Longueur: 0.4pouce, Taille: 0.08pouce, Photosensibilité de pointe: 0.5A/W, Polarité: Inverse, Série: UV, Temps de croissance: 1µs, MPN: UV-035DQC

EUR 81.53

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, boîtier TO-8, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 1550nm, Longueur d'onde minimum détectée: 1100nm, Longueur d'onde maximum détectée: 1620nm, Taille: 6.6mm, Diamètre: 15.24mm, Photosensibilité de pointe: 0.95A/W, Polarité: Inverse, MPN: FCI-INGAAS-Q3000

EUR 459.18

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, boîtier TO-5, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 1700nm, Longueur d'onde minimum détectée: 900nm, Temps de chute: 3ns, Taille: 4.16mm, Diamètre: 9.14mm, Photosensibilité de pointe: 0.95A/W, Série: FCI-InGaAS, MPN: FCI-InGaAs-Q1000

EUR 242.59

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-5, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 970nm, Longueur d'onde minimum détectée: 350nm, Longueur d'onde maximum détectée: 1100nm, Taille: 3.61mm, Diamètre: 9.14mm, Photosensibilité de pointe: 0.65A/W, Polarité: Inverse, Série: SPOT, MPN: PIN-SPOT-4D

EUR 46.89

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 800nm, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: 600nm, Taille: 4.14mm, Diamètre: 9.2mm, Photosensibilité de pointe: 50A/W, Polarité: Inverse, MPN: APD15-8-150-TO5

EUR 83.41

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 800nm, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: 600nm, Taille: 4.14mm, Diamètre: 9.2mm, Photosensibilité de pointe: 50A/W, Polarité: Inverse, MPN: APD15-8-150-TO5

EUR 89.06

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 800nm, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: 600nm, Taille: 3.25mm, Diamètre: 5.4mm, Photosensibilité de pointe: 50A/W, Polarité: Inverse, MPN: APD10-8-150-T52

EUR 97.07

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-5, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 970nm, Longueur d'onde minimum détectée: 350nm, Longueur d'onde maximum détectée: 1100nm, Taille: 3.61mm, Diamètre: 9.14mm, Photosensibilité de pointe: 0.65A/W, Polarité: Inverse, Série: SPOT, MPN: PIN-SPOT-4D

EUR 43.80

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 800nm, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: 600nm, Taille: 3.8mm, Diamètre: 5.4mm, Photosensibilité de pointe: 50A/W, Polarité: Inverse, MPN: APD05-8-150-T52L

EUR 78.07

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 800nm, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: 600nm, Taille: 3.8mm, Diamètre: 5.4mm, Photosensibilité de pointe: 50A/W, Polarité: Inverse, MPN: APD05-8-150-T52L

EUR 83.48

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 800nm, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: 600nm, Taille: 3.25mm, Diamètre: 5.4mm, Photosensibilité de pointe: 50A/W, Polarité: Inverse, MPN: APD10-8-150-T52

EUR 104.51

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 1550nm, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: 900nm, Longueur d'onde maximum détectée: 1700nm, Taille: 19.2mm, Diamètre: 5.07mm, Photosensibilité de pointe: 0.95A/W, Polarité: Avant, arrière, MPN: FCI-INGAAS-120L-FC

EUR 73.03

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 1550nm, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: 900nm, Longueur d'onde maximum détectée: 1700nm, Taille: 19.2mm, Diamètre: 5.07mm, Photosensibilité de pointe: 0.95A/W, Polarité: Avant, arrière, MPN: FCI-InGaAs-120L-FC

EUR 77.96

1

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 980nm, Nombre de broches: 2, Longueur d'onde minimum détectée: 190nm, Longueur d'onde maximum détectée: 1100nm, Longueur: 16.51mm, Largeur: 14.99mm, Taille: 2.03mm, Photosensibilité de pointe: 0.5A/W, Polarité: Inverse, MPN: PIN-UV-100DQC

EUR 149.18

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photodétecteur amplifié,, PIN-UDT-455, Infrarouge, 970nm, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photodétecteur amplifié,, PIN-UDT-455, Infrarouge, 970nm, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Détecteur de position (PSD),, Si, Traversant

OSI Optoelectronics Détecteur de position (PSD),, Si, Traversant

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier Bas profil

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, boîtier TO-8

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52

OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier TO-5

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52

OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-52

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant

OSI Optoelectronics Photo diode,, InGaAs, Traversant

OSI Optoelectronics Photo diode,, Ultraviolet, Si, Traversant, boîtier Céramique

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