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Nexperia Diode traversante, 250mA, 200V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 200V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 1.85mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: BAV20,113

EUR 0.19

1

Nexperia Diode traversante, 250mA, 200V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 200V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 1.85mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: BAV20,113

EUR 0.18

3

Nexperia Diode traversante, 250mA, 250V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 250V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 1.85mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: BAV21,113

EUR 0.03

1

Nexperia Diode traversante, 250mA, 250V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 250V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 1.85mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: BAV21,113

EUR 0.19

1

Nexperia Diode traversante, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 30V, DO-34, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 800mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Temps de recouvrement inverse crête: 4ns, Diamètre: 1.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 5A, MPN: BAT85,113

EUR 0.07

1

Nexperia Diode traversante, 200mA, 50V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 50V, DO-34, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 900mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Temps de recouvrement inverse crête: 4ns, Diamètre: 1.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 5A, MPN: BAT86,113

EUR 0.09

1

Nexperia Diode traversante, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 30V, DO-34, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 800mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Temps de recouvrement inverse crête: 4ns, Diamètre: 1.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 5A, MPN: BAT85,113

EUR 0.43

1

Nexperia Diode traversante, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 30V, DO-34, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 800mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Temps de recouvrement inverse crête: 4ns, Diamètre: 1.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 5A, MPN: BAT85,113

EUR 0.40

3

Nexperia Diode traversante, 250mA, 250V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 250V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 1.85mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: BAV21,113

EUR 0.06

1

Nexperia Diode traversante, 250mA, 200V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 200V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, Diamètre: 1.85mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9A, MPN: BAV20,113

EUR 0.03

1

Nexperia Diode traversante, 200mA, 50V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 50V, DO-34, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Petits signaux, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 900mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Temps de recouvrement inverse crête: 4ns, Diamètre: 1.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 5A, MPN: BAT86,113

EUR 0.17

1

Nexperia Diode traversante, 200mA, 50V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 50V, DO-34, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Petits signaux, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 900mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Temps de recouvrement inverse crête: 4ns, Diamètre: 1.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 5A, MPN: BAT86,113

EUR 0.40

1

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 50V, DO-34

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 50V, DO-34, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 900mV, Numero di elementi per chip: 1, Picco del tempo di recovery inverso: 4ns, Diametro: 1.6mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 5A, MPN: BAT86,113

EUR 0.09

1

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 30V, DO-34, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 800mV, Numero di elementi per chip: 1, Picco del tempo di recovery inverso: 4ns, Diametro: 1.6mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 5A, MPN: BAT85,113

EUR 0.43

1

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 30V, DO-34, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 800mV, Numero di elementi per chip: 1, Picco del tempo di recovery inverso: 4ns, Diametro: 1.6mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 5A, MPN: BAT85,113

EUR 0.07

1

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 200V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 200V, DO-35, Switching, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1.25V, Picco del tempo di recovery inverso: 50ns, Diametro: 1.85mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9A, MPN: BAV20,113

EUR 0.03

1

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 250V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 250V, DO-35, Switching, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1.25V, Picco del tempo di recovery inverso: 50ns, Diametro: 1.85mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9A, MPN: BAV21,113

EUR 0.06

1

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 250V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 250V, DO-35, Switching, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1.25V, Picco del tempo di recovery inverso: 50ns, Diametro: 1.85mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9A, MPN: BAV21,113

EUR 0.03

1

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 250V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 250V, DO-35, Switching, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1.25V, Picco del tempo di recovery inverso: 50ns, Diametro: 1.85mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9A, MPN: BAV21,113

EUR 0.19

1

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 200V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 200V, DO-35, Switching, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1.25V, Picco del tempo di recovery inverso: 50ns, Diametro: 1.85mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9A, MPN: BAV20,113

EUR 0.19

1

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 50V, DO-34, Piccolo segnale

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 50V, DO-34, Piccolo segnale, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 900mV, Numero di elementi per chip: 1, Picco del tempo di recovery inverso: 4ns, Diametro: 1.6mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 5A, MPN: BAT86,113

EUR 0.17

1

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 50V, DO-34, Piccolo segnale

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 50V, DO-34, Piccolo segnale, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 900mV, Numero di elementi per chip: 1, Picco del tempo di recovery inverso: 4ns, Diametro: 1.6mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 5A, MPN: BAT86,113

EUR 0.40

1

Nexperia Diodo, BAT86,113, 200mA, 50V, 4ns, DO-34, 2-Pines

Nexperia Diodo, 200mA, 50V, 4ns, DO-34, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Diodo: Schottky, Caída de tensión directa máxima: 900mV, Número de Elementos por Chip: 1, Diámetro: 1.6mm, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 5A, MPN: BAT86,113

EUR 0.09

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Nexperia Diode traversante, 250mA, 200V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 200V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 250V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 250V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 50V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 250mA, 250V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 250mA, 200V, DO-35

Nexperia Diode traversante, 200mA, 50V, DO-34

Nexperia Diode traversante, 200mA, 50V, DO-34

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 50V, DO-34

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 30V, DO-34

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 200V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 250V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 250V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 250V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 250mA, 200V, DO-35, Switching

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 50V, DO-34, Piccolo segnale

Nexperia Diodo, Su foro, 200mA, 50V, DO-34, Piccolo segnale

Nexperia Diodo, BAT86,113, 200mA, 50V, 4ns, DO-34, 2-Pines

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