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Nexperia MOSFET, canale N, 72 mΩ, 24 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 72 mΩ, 24 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 72 mΩ, 24 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 56 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.81
1

Nexperia MOSFET, canale N, 20 mΩ, 46 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 20 mΩ, 46 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 20 mΩ, 46 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 56 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.29
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Nexperia MOSFET, canale N, 72 mΩ, 24 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 72 mΩ, 24 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 72 mΩ, 24 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 56 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.48
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Nexperia MOSFET, canale N, 20 mΩ, 46 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 20 mΩ, 46 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 20 mΩ, 46 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 56 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.60
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Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 46 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 46 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 46 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 56 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.60
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Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.29
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Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 46 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 46 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 46 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 56 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.29
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Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.60
1

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 72 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.81
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Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 72 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.48
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Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 1.1mm, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.57
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Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 72 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 56 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.81
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Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 72 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 1.1mm, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.81
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Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 72 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 56 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 1.1mm, MPN: PSMN045-80YS,115

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Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 24 A 80 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 72 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 56 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.48
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Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 46 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 46 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 46 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 56 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 1.1mm, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.57
1