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Nexperia Transistor, PBSS4160DPN,115, NPN + PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, NPN + PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Frecuencia Máxima de Funcionamiento: 185 (PNP), 220 (NPN) MHz, Dimensiones: 1 x 3.1 x 1.7mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS4160DPN,115

EUR 0.31

1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale, Corrente massima continuativa di drain: 220 mA, 400 mA, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.09

1

Nexperia Transistor, PBSS4160DS,115, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3.1 x 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Altura: 1mm, MPN: PBSS4160DS,115

EUR 0.31

1

Nexperia Transistor, PBSS4160DS,115, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3.1 x 1.7mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS4160DS,115

EUR 0.31

1

Nexperia Transistor, PBSS4160DPN,115, NPN + PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, NPN + PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3.1 x 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Altura: 1mm, MPN: PBSS4160DPN,115

EUR 0.31

1

Nexperia Transistor, PBSS4160DS,115, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3.1 x 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,25 V, MPN: PBSS4160DS,115

EUR 0.10

1

Nexperia Transistor, PBSS4160T,215, NPN 900 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 900 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1mm, MPN: PBSS4160T,215

EUR 0.38

1

Nexperia Transistor, PNP Simple, 1 A, 60 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches

Nexperia Transistor, PNP Simple, 1 A, 60 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 80 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 220 MHz, Dimensions: 1 x 3 x 1.4mm, Hauteur: 1mm, MPN: PBSS5160T

EUR 0.38

3

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 0.6mm, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33

1

Nexperia Transistor, PBSS4160DPN,115, NPN + PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, NPN + PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3.1 x 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,33 V, MPN: PBSS4160DPN,115

EUR 0.11

1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.6mm, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33

1

Nexperia Transistor, PBSS4160T,215, NPN 900 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 900 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,25 V, MPN: PBSS4160T,215

EUR 0.43

1

Nexperia Transistor, PBSS5160T,215, PNP 1 A 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia Transistor,215, PNP 1 A 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,33 V, MPN: PBSS5160T

EUR 0.40

1

Nexperia Transistor, PBSS4160T,215, NPN 900 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia Transistor, NPN 900 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,25 V, MPN: PBSS4160T,215

EUR 0.18

1

Nexperia Transistor, PBSS5160T,215, PNP 1 A 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 1 A 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,33 V, MPN: PBSS5160T,215

EUR 0.09

1

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33

1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.09

1

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33

1

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Altura: 0.6mm, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33

1

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.33

1

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 Ω, 7,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NX3008CBKV,115

EUR 0.09

1

Nexperia Transistor, BCM62B,215, PNP 100 mA 45 V SOT-143B, 4 pines, 175 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP 100 mA 45 V SOT-143B, 4 pines, 175 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 220 mW, Tensión Base Máxima del Colector: -50 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 3 x 1.4 x 1.1mm, MPN: BCM62B,215

EUR 0.08

1

Nexperia Transistor PNP, 4 Pin, SOT-143B, 100 mA, 45 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 4 Pin, SOT-143B, 100 mA, 45 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 220 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -50 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 175 MHz, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1.1mm, MPN: BCM62B,215

EUR 0.08

1

Nexperia Transistor, PNP Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches

Nexperia Transistor, PNP Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 220, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 1 x 3 x 1.4mm, Hauteur: 1mm, Longueur: 3mm, MPN: BC859B,215

EUR 0.07

1

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 30 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 30 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 220, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Dimensioni: 1 x 3 x 1.4mm, Altezza: 1mm, Lunghezza: 3mm, MPN: BC859B,215

EUR 0.07

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Nexperia Transistor, PBSS4160DPN,115, NPN + PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor, PBSS4160DS,115, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, PBSS4160DS,115, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, PBSS4160DPN,115, NPN + PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, PBSS4160DS,115, NPN 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia Transistor, PBSS4160T,215, NPN 900 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PNP Simple, 1 A, 60 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor, PBSS4160DPN,115, NPN + PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia Transistor, PBSS4160T,215, NPN 900 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS5160T,215, PNP 1 A 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS4160T,215, NPN 900 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia Transistor, PBSS5160T,215, PNP 1 A 60 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 220 MHz, Simple

Nexperia MOSFET, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 220 mA, 400 mA, SOT-666, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET canal N/P,, SOT-666 220 mA, 400 mA 30 V, 6 broches

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia MOSFET, NX3008CBKV,115, Dual, N/P-Canal, 220 mA, 400 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-666 Aislado Si

Nexperia Transistor, BCM62B,215, PNP 100 mA 45 V SOT-143B, 4 pines, 175 MHz, Simple

Nexperia Transistor PNP, 4 Pin, SOT-143B, 100 mA, 45 V, Montaggio superficiale

Nexperia Transistor, PNP Simple, 100 mA, 30 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches

Nexperia Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23 (TO -236AB), 100 mA, 30 V, Montaggio superficiale

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