Pro1.pl | Voir les prix les plus bas et des offres sur !URL

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN4R3-30PL,127

EUR 1.45

1

Nexperia MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.5mm, MPN: PSMN4R3-30BL,118

EUR 0.78

1

Nexperia MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN4R3-30BL,118

EUR 1.20

1

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN4R3-30PL,127

EUR 1.70

1

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN4R3-30PL,127

EUR 0.78

1

Nexperia MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN4R3-30BL,118

EUR 0.66

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Nexperia MOSFET, canale N, 5,8 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Powered by Cobiro