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Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.29
1

Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.60
1

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 72 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.81
1

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 72 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.48
1

Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN014-40YS,115, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 46 A, 40 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 1.1mm, MPN: PSMN014-40YS,115

EUR 0.57
1

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN045-80YS,115, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 24 A, 80 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 72 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 1.1mm, MPN: PSMN045-80YS,115

EUR 0.81
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