Microchip MOSFET, canale P, 180 mΩ, 2 A, SOT-363 (SC-70), Montaggio superficiale
Microchip MOSFET, canale P, 180 mΩ, 2 A, SOT-363 (SC-70), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 6 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 270 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -6 V, Lunghezza: 2.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MIC94053YC6-TR