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Microchip Transistor MOSFET, canale N, 7.5 Ω, 230 mA, TO-92

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 7.5 Ω, 230 mA, TO-92, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: 2N7008, MPN: 2N7008-G

EUR 0.43

1

Microchip Transistor MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip Transistor MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 7.5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: 2N7008, MPN: 2N7008-G

EUR 0.43

1

Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 350 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.6mm, Lunghezza: 4.6mm, MPN: DN3535N8-G

EUR 0.76

1

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 5.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.38

1

Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 350 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DN3535N8-G

EUR 0.76

1

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 0.85V, Altezza: 5.33mm, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.35

1

Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 350 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DN3535N8-G

EUR 0.58

1

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 5.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.34

1

Microchip MOSFET canal N,, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.6mm, Longueur: 4.6mm, MPN: DN3535N8-G

EUR 0.76

1

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.5V, MPN: 2N7008-G

EUR 0.43

1

Microchip Transistor MOSFET, 2N7008-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 2N7008 Silicio

Microchip Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 2N7008 Silicio, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, MPN: 2N7008-G

EUR 0.43

1

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 5.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.34

1

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 0.85V, Hauteur: 5.33mm, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.35

1

Microchip MOSFET canal N,, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 4.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DN3535N8-G

EUR 0.76

1

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 5.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: 2N7008-G

EUR 0.47

1

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 5.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.38

1

Microchip MOSFET canal N,, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 4.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DN3535N8-G

EUR 0.58

1

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 5.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N7008-G

EUR 0.47

1

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.5V, MPN: 2N7008-G

EUR 0.43

1

Microchip MOSFET, DN3535N8-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 350 V, Reducción, 4-Pin, TO-243AA Simple Si

Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 350 V, Reducción, 4-Pin, TO-243AA Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.6mm, Longitud: 4.6mm, MPN: DN3535N8-G

EUR 0.76

1

Microchip MOSFET, DN3535N8-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 350 V, Reducción, 4-Pin, TO-243AA Simple Si

Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 350 V, Reducción, 4-Pin, TO-243AA Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: DN3535N8-G

EUR 0.58

1

Microchip MOSFET, DN3535N8-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 350 V, Reducción, 4-Pin, TO-243AA Simple Si

Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 350 V, Reducción, 4-Pin, TO-243AA Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: DN3535N8-G

EUR 0.76

1

Microchip MOSFET, VN2222LL-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 0.85V, Altura: 5.33mm, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.35

1

Microchip MOSFET, VN2222LL-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 5.08mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.34

1

Microchip MOSFET, VN2222LL-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 5.08mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.38

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 7.5 Ω, 230 mA, TO-92

Microchip Transistor MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET canal N,, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip Transistor MOSFET, 2N7008-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 2N7008 Silicio

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-243AA 230 mA 350 V, 4 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET, DN3535N8-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 350 V, Reducción, 4-Pin, TO-243AA Simple Si

Microchip MOSFET, DN3535N8-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 350 V, Reducción, 4-Pin, TO-243AA Simple Si

Microchip MOSFET, DN3535N8-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 350 V, Reducción, 4-Pin, TO-243AA Simple Si

Microchip MOSFET, VN2222LL-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, VN2222LL-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, VN2222LL-G, N-Canal-Canal, 230 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

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