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Microchip MOSFET canal N,, DFN 1,1 A 250 V, 8 broches

Microchip MOSFET canal N,, DFN 1,1 A 250 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 Ω, Mode de canal: Depletion, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.8V, Hauteur: 0.85mm, Longueur: 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DN2625DK6-G

EUR 2.74

1

Microchip MOSFET canal N,, DFN 1,1 A 250 V, 8 broches

Microchip MOSFET canal N,, DFN 1,1 A 250 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 Ω, Mode de canal: Depletion, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Charge de Grille type @ Vgs: 7,04 nC @ 1,5 V, MPN: DN2625DK6-G

EUR 2.82

1

Microchip MOSFET canal N,, TO-252 1,1 A 250 V, 4 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-252 1,1 A 250 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 Ω, Mode de canal: Depletion, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Tension directe de la diode: 1.8V, Hauteur: 2.29mm, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DN2625K4-G

EUR 1.30

3

Microchip MOSFET canal N,, TO-252 1,1 A 250 V, 4 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-252 1,1 A 250 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 Ω, Mode de canal: Depletion, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Charge de Grille type @ Vgs: 7,04 nC @ 1,5 V, Largeur: 6.1mm, MPN: DN2625K4-G

EUR 1.37

3

Microchip MOSFET canal N,, TO-252 1,1 A 250 V, 4 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-252 1,1 A 250 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 Ω, Mode de canal: Depletion, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Charge de Grille type @ Vgs: 7,04 nC @ 1,5 V, Largeur: 6.1mm, MPN: DN2625K4-G

EUR 1.06

1

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.41

1

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.08mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.45

1

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 2V, Altezza: 5.33mm, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.41

1

Microchip MOSFET canal P,, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal P,, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.45

1

Microchip MOSFET canal P,, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal P,, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.41

1

Microchip MOSFET canal P,, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal P,, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 2V, Hauteur: 5.33mm, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.41

1

Microchip MOSFET, DN2625DK6-G, N-Canal-Canal, 1,1 A, 250 V, Reducción, 8-Pin, DFN Simple Si

Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 1,1 A, 250 V, Reducción, 8-Pin, DFN Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.8V, Altura: 0.85mm, Longitud: 5.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: DN2625DK6-G

EUR 2.74

1

Microchip MOSFET, DN2625DK6-G, N-Canal-Canal, 1,1 A, 250 V, Reducción, 8-Pin, DFN Simple Si

Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 1,1 A, 250 V, Reducción, 8-Pin, DFN Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 7,04 nC a 1,5 V, MPN: DN2625DK6-G

EUR 2.82

1

Microchip MOSFET, VP2106N3-G, P-Canal, 250 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, P-Canal, 250 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.08mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.45

1

Microchip MOSFET, VP2106N3-G, P-Canal, 250 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, P-Canal, 250 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 2V, Altura: 5.33mm, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.41

1

Microchip MOSFET, VP2106N3-G, P-Canal, 250 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, P-Canal, 250 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.08mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.41

1

Microchip MOSFET, DN2625K4-G, Dual, N-Canal-Canal, 1,1 A, 250 V, Reducción, 4-Pin, TO-252 DN2625 Simple

Microchip MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 1,1 A, 250 V, Reducción, 4-Pin, TO-252 DN2625 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 Ω, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 7,04 nC a 1,5 V, Ancho: 6.1mm, MPN: DN2625K4-G

EUR 1.06

1

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Depletion, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Carica gate tipica @ Vgs: 7,04 nC @ 1,5 V, MPN: DN2625DK6-G

EUR 2.82

1

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Depletion, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, Altezza: 0.85mm, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DN2625DK6-G

EUR 2.74

1

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, TO-252, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Depletion, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Carica gate tipica @ Vgs: 7,04 nC @ 1,5 V, Larghezza: 6.1mm, MPN: DN2625K4-G

EUR 1.06

1

Microchip Régulateur de tension, MCP1703T-5002E/DB, 250mA, SOT-223 3 broches.

Microchip Régulateur de tension, 250mA, SOT-223 3 broches., Tension de chute au courant maximum: 1100 mV @ 250 mA, Tension de sortie: 5 V, Type de sortie: Fixe, Type de montage: CMS, Tension d'entrée minimale: 2,7 V, Tension d'entrée maximale: 16 V, Courant de repos: 5µA, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Dimensions: 6.7 x 3.7 x 1.8mm, MPN: MCP1703T-5002E/DB

EUR 0.67

3

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Microchip MOSFET canal N,, DFN 1,1 A 250 V, 8 broches

Microchip MOSFET canal N,, DFN 1,1 A 250 V, 8 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-252 1,1 A 250 V, 4 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-252 1,1 A 250 V, 4 broches

Microchip MOSFET canal N,, TO-252 1,1 A 250 V, 4 broches

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET canal P,, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal P,, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET canal P,, TO-92 250 mA 60 V, 3 broches

Microchip MOSFET, DN2625DK6-G, N-Canal-Canal, 1,1 A, 250 V, Reducción, 8-Pin, DFN Simple Si

Microchip MOSFET, DN2625DK6-G, N-Canal-Canal, 1,1 A, 250 V, Reducción, 8-Pin, DFN Simple Si

Microchip MOSFET, VP2106N3-G, P-Canal, 250 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, VP2106N3-G, P-Canal, 250 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, VP2106N3-G, P-Canal, 250 mA, 60 V, 3-Pin, TO-92 Simple Si

Microchip MOSFET, DN2625K4-G, Dual, N-Canal-Canal, 1,1 A, 250 V, Reducción, 4-Pin, TO-252 DN2625 Simple

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, TO-252, Montaggio superficiale

Microchip Régulateur de tension, MCP1703T-5002E/DB, 250mA, SOT-223 3 broches.

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