Microchip MOSFET, canale N, 8 Ω, 300 mA, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
Microchip MOSFET, canale N, 8 Ω, 300 mA, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 2.39mm, Lunghezza: 6.2mm, MPN: DN3765K4-G