Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-39, Su foro
Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-39, Su foro, Tensione massima drain source: 90 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 6,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: 2N6661