MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro
MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MMF65R190PTH