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MagnaChip MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 2,8 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 2,8 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 30,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDF3N50TH

EUR 0.23

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 350 mΩ, 16 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 350 mΩ, 16 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 49,4 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, Altezza: 16.13mm, MPN: MDF16N50GTH

EUR 0.95

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,8 mΩ, 87 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,8 mΩ, 87 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 59,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDD1503RH

EUR 0.19

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 153 A, TO-220, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 153 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 223 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 16.51mm, MPN: MDP1921TH

EUR 1.25

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 350 mΩ, 16 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 350 mΩ, 16 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 49,4 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDF16N50GTH

EUR 0.67

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 153 A, TO-220, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 153 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 223 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDP1921TH

EUR 1.15

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 3,4 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 3,4 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 400 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDD3N40RH

EUR 0.17

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 350 mΩ, 16 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 350 mΩ, 16 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 49,4 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDF16N50GTH

EUR 0.66

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,8 mΩ, 87 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,8 mΩ, 87 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 59,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDD1503RH

EUR 0.19

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 3,4 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 3,4 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 400 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDD3N40RH

EUR 0.18

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 153 A, TO-220, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 153 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 223 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDP1921TH

EUR 1.39

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 750 mΩ, 5,7 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 750 mΩ, 5,7 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 27,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MMF60R750PTH

EUR 0.93

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,2 mΩ, 94 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,2 mΩ, 94 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 65,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDU1518URH

EUR 0.17

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MMF60R190PTH

EUR 1.95

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 14 mΩ, 47 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 14 mΩ, 47 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 35,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, Altezza: 1.1mm, MPN: MDU1516URH

EUR 0.50

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 850 mΩ, 9 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 850 mΩ, 9 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 38 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDF9N50BTH

EUR 0.68

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MMF65R190PTH

EUR 2.04

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, Altezza: 16.13mm, MPN: MMF60R190PTH

EUR 1.64

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 14 mΩ, 47 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 14 mΩ, 47 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 35,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDU1516URH

EUR 0.30

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 35 mΩ, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 35 mΩ, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDS5652URH

EUR 0.19

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,2 mΩ, 94 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,2 mΩ, 94 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 65,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDU1518URH

EUR 0.18

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MMF60R190PTH

EUR 2.15

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 550 mΩ, 11 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 550 mΩ, 11 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 660 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 49 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDF11N60BTH

EUR 0.89

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 1,4 Ω, 5 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 1,4 Ω, 5 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 27 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDF5N50BTH

EUR 0.45

1

MagnaChip MOSFET, canale N, 550 mΩ, 11 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 550 mΩ, 11 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 660 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 49 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.71mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MDF11N60BTH

EUR 0.82

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

MagnaChip MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 2,8 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 350 mΩ, 16 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,8 mΩ, 87 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 153 A, TO-220, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 350 mΩ, 16 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 153 A, TO-220, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 3,4 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 350 mΩ, 16 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,8 mΩ, 87 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 3,4 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 153 A, TO-220, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 750 mΩ, 5,7 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,2 mΩ, 94 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 14 mΩ, 47 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 850 mΩ, 9 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 14 mΩ, 47 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 35 mΩ, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 6,2 mΩ, 94 A, PowerDFN56, Montaggio superficiale

MagnaChip MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 550 mΩ, 11 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 1,4 Ω, 5 A, TO-220F, Su foro

MagnaChip MOSFET, canale N, 550 mΩ, 11 A, TO-220F, Su foro

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