Infineon MOSFET, canale N, 65 m.Ω, 29 A, ThinPAK 8x8
Infineon MOSFET, canale N, 65 m.Ω, 29 A, ThinPAK 8x8, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: IPD50R, MPN: IPL60R065C7AUMA1