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Infineon MOSFET canal N,, A-247 69 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 69 A 250 V, 3 broches, MPN: IRF250P225

EUR 7.08

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 64 A 250 V, 3 broches, MPN: IPB64N25S320ATMA1

EUR 6.36

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 69 A, 250 V, 3-Pin, TO-247 StrongIRFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 69 A, 250 V, 3-Pin, TO-247 StrongIRFET Si, MPN: IRF250P225

EUR 7.08

1

Infineon MOSFET, IPB64N25S320ATMA1, N-Canal-Canal, 64 A, 250 V, 3-Pin, TO-263 IPB64N25S3-20 Simple

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 64 A, 250 V, 3-Pin, TO-263 IPB64N25S3-20 Simple, MPN: IPB64N25S320ATMA1

EUR 6.36

1

Infineon MOSFET canal N,, A-247 69 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 69 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,022 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: StrongIRFET, MPN: IRF250P225

EUR 6.94

1

Infineon MOSFET canal N,, A-247 69 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 69 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,022 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: StrongIRFET, MPN: IRF250P225

EUR 7.72

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-HSOG-8-1 77 A 250 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-HSOG-8-1 77 A 250 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,021 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: IPTG, MPN: IPTG210N25NM3FDATMA1

EUR 7.36

1

Infineon Relais statique,, 0,17 A, Montage en surface, 250 V

Infineon Relais statique,, 0,17 A, Montage en surface, 250 V, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 2 NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: CMS, Durée maximale de mise sous tension: 3 ms, Dimensions: 9.39 x 6.47 x 3.42mm, Gamme de tension de charge: 0 → 250V, Profondeur: 6.47mm, Longueur: 9.39mm, MPN: PVT322SPBF

EUR 8.25

1

Infineon Relais statique,, 0,17 A, Montage en surface, 250 V

Infineon Relais statique,, 0,17 A, Montage en surface, 250 V, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 2 NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: CMS, Durée maximale de mise sous tension: 3 ms, Dimensions: 9.39 x 6.47 x 3.42mm, Profondeur: 6.47mm, Longueur: 9.39mm, Gamme de tension de charge: 0 → 250V, MPN: PVT322SPBF

EUR 7.78

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 61 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 61 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP220N25NFDAKSA1

EUR 8.18

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 61 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 61 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP220N25NFDAKSA1

EUR 7.36

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 61 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 61 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 15.95mm, Longueur: 10.36mm, MPN: IPP220N25NFDAKSA1

EUR 6.24

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.31mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPB200N25N3GATMA1

EUR 8.43

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.31mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPB200N25N3GATMA1

EUR 5.89

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 69 A, 250 V, 3-Pin, TO-247 StrongIRFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 69 A, 250 V, 3-Pin, TO-247 StrongIRFET Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,022 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IRF250P225

EUR 7.72

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 69 A, 250 V, 3-Pin, TO-247 StrongIRFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 69 A, 250 V, 3-Pin, TO-247 StrongIRFET Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,022 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IRF250P225

EUR 6.94

1

Infineon MOSFET, IPTG210N25NM3FDATMA1, N-Canal-Canal, 77 A, 250 V, 8-Pin, PG-HSOG-8-1 IPTG

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 77 A, 250 V, 8-Pin, PG-HSOG-8-1 IPTG, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,021 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: IPTG210N25NM3FDATMA1

EUR 7.36

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 64 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPB64N25S320ATMA1

EUR 7.50

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 64 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPB64N25S320ATMA1

EUR 7.04

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 4.57mm, Longueur: 10.31mm, MPN: IPB200N25N3GATMA1

EUR 6.68

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 93 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 93 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 14,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 520 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFP4768PBF

EUR 6.88

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 64 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP200N25N3GXKSA1

EUR 7.70

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 57 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 57 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFP4332PBF

EUR 5.79

3

Infineon MOSFET canal N,, A-220 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 64 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP200N25N3GXKSA1

EUR 8.52

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 57 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 57 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.9mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFP4332PBF

EUR 5.21

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET canal N,, A-247 69 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 69 A, 250 V, 3-Pin, TO-247 StrongIRFET Si

Infineon MOSFET, IPB64N25S320ATMA1, N-Canal-Canal, 64 A, 250 V, 3-Pin, TO-263 IPB64N25S3-20 Simple

Infineon MOSFET canal N,, A-247 69 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-247 69 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-HSOG-8-1 77 A 250 V, 8 broches

Infineon Relais statique,, 0,17 A, Montage en surface, 250 V

Infineon Relais statique,, 0,17 A, Montage en surface, 250 V

Infineon MOSFET canal N,, A-220 61 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 61 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 61 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 69 A, 250 V, 3-Pin, TO-247 StrongIRFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 69 A, 250 V, 3-Pin, TO-247 StrongIRFET Si

Infineon MOSFET, IPTG210N25NM3FDATMA1, N-Canal-Canal, 77 A, 250 V, 8-Pin, PG-HSOG-8-1 IPTG

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 93 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 57 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 64 A 250 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-247AC 57 A 250 V, 3 broches

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