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Infineon MOSFET canal N,, PG-HSOG-8-1 77 A 250 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-HSOG-8-1 77 A 250 V, 8 broches, MPN: IPTG210N25NM3FDATMA1

EUR 10.30

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Infineon MOSFET, IPTG210N25NM3FDATMA1, N-Canal-Canal, 77 A, 250 V, 8-Pin, PG-HSOG-8-1 IPTG

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 77 A, 250 V, 8-Pin, PG-HSOG-8-1 IPTG, MPN: IPTG210N25NM3FDATMA1

EUR 10.30

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Infineon MOSFET canal N,, PG-HSOG-8-1 77 A 250 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-HSOG-8-1 77 A 250 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,021 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: IPTG, MPN: IPTG210N25NM3FDATMA1

EUR 10.51

1

Infineon Relais statique,, 0,17 A, Montage en surface, 250 V

Infineon Relais statique,, 0,17 A, Montage en surface, 250 V, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 2 NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: CMS, Durée maximale de mise sous tension: 3 ms, Dimensions: 9.39 x 6.47 x 3.42mm, Gamme de tension de charge: 0 → 250V, Profondeur: 6.47mm, Longueur: 9.39mm, MPN: PVT322SPBF

EUR 10.43

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Infineon MOSFET, IPTG210N25NM3FDATMA1, N-Canal-Canal, 77 A, 250 V, 8-Pin, PG-HSOG-8-1 IPTG

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 77 A, 250 V, 8-Pin, PG-HSOG-8-1 IPTG, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,021 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: IPTG210N25NM3FDATMA1

EUR 10.51

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Infineon Relè a stato solido PVT322SPBF, Montaggio superficiale, 0,17 A, 250 V, ca / cc, DP-NA

Infineon Relè a stato solido PVT322SPBF, Montaggio superficiale, 0,17 A, 250 V, ca / cc, DP-NA, Tipo di terminale: Pin per circuito stampato, Uscita: MOSFET, Package: SMT, Tempo max. di attivazione: 3 ms, Dimensioni: 9.39 x 6.47 x 3.42mm, Gamma di tensione di carico: 0 → 250V, Profondità: 6.47mm, Lunghezza: 9.39mm

EUR 10.43

1

Infineon Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 0,17 A, 250 V, ac / dc, MOSFET, DP-NA

Infineon Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 0,17 A, 250 V, ac / dc, MOSFET, DP-NA, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tipo de Encapsulado: Montaje superficial, Tiempo de Activación Máximo: 3 ms, Dimensiones: 9.39 x 6.47 x 3.42mm, Rango de Tensión de Carga: 0 → 250V, Profundidad: 6.47mm, Longitud: 9.39mm, MPN: PVT322SPBF

EUR 10.43

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO263-3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, MPN: AIKW50N60CTXKSA1

EUR 10.10

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Infineon IGBT, AIKW50N60CTXKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines

Infineon IGBT, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, MPN: AIKW50N60CTXKSA1

EUR 12.58

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Infineon IGBT, AIKW50N60CTXKSA1,, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3 broches

Infineon IGBT,, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, MPN: AIKW50N60CTXKSA1

EUR 12.58

1

Infineon IGBT, AIKW50N60CTXKSA1,, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3 broches

Infineon IGBT,, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, MPN: AIKW50N60CTXKSA1

EUR 10.10

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO263-3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, MPN: AIKW50N60CTXKSA1

EUR 12.58

1

Infineon IGBT, AIKW50N60CTXKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines

Infineon IGBT, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, MPN: AIKW50N60CTXKSA1

EUR 10.10

1

Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E,, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3 broches

Infineon IGBT,, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20 V, ±30 V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, MPN: AUIRGP4062D-E

EUR 12.71

1

Infineon IGBT, AIKW40N65DF5XKSA1,, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches

Infineon IGBT,, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20 V, ±30 V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, MPN: AIKW40N65DF5XKSA1

EUR 10.91

1

Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E,, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3 broches

Infineon IGBT,, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20 V, ±30 V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, MPN: AUIRGP4062D-E

EUR 15.60

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Infineon IGBT, AIKW40N65DF5XKSA1, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines

Infineon IGBT, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20 V, ±30 V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, MPN: AIKW40N65DF5XKSA1

EUR 10.91

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30 V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, MPN: AIKW40N65DF5XKSA1

EUR 10.91

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 48 A, canale N, TO-247AD

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 48 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30 V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, MPN: AUIRGP4062D-E

EUR 15.60

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 48 A, canale N, TO-247AD

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 48 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30 V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, MPN: AUIRGP4062D-E

EUR 12.71

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Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines

Infineon IGBT, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20 V, ±30 V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, MPN: AUIRGP4062D-E

EUR 12.71

1

Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines

Infineon IGBT, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20 V, ±30 V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, MPN: AUIRGP4062D-E

EUR 15.60

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,021 Ω, 77 A, PG-HSOG-8-1, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,021 Ω, 77 A, PG-HSOG-8-1, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: IPTG, MPN: IPTG210N25NM3FDATMA1

EUR 10.51

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET canal N,, PG-HSOG-8-1 77 A 250 V, 8 broches

Infineon MOSFET, IPTG210N25NM3FDATMA1, N-Canal-Canal, 77 A, 250 V, 8-Pin, PG-HSOG-8-1 IPTG

Infineon MOSFET canal N,, PG-HSOG-8-1 77 A 250 V, 8 broches

Infineon Relais statique,, 0,17 A, Montage en surface, 250 V

Infineon MOSFET, IPTG210N25NM3FDATMA1, N-Canal-Canal, 77 A, 250 V, 8-Pin, PG-HSOG-8-1 IPTG

Infineon Relè a stato solido PVT322SPBF, Montaggio superficiale, 0,17 A, 250 V, ca / cc, DP-NA

Infineon Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 0,17 A, 250 V, ac / dc, MOSFET, DP-NA

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, AIKW50N60CTXKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines

Infineon IGBT, AIKW50N60CTXKSA1,, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3 broches

Infineon IGBT, AIKW50N60CTXKSA1,, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3 broches

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO263-3

Infineon IGBT, AIKW50N60CTXKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines

Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E,, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3 broches

Infineon IGBT, AIKW40N65DF5XKSA1,, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3 broches

Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E,, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3 broches

Infineon IGBT, AIKW40N65DF5XKSA1, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 48 A, canale N, TO-247AD

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 48 A, canale N, TO-247AD

Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines

Infineon IGBT, AUIRGP4062D-E, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines

Infineon MOSFET, canale N, 0,021 Ω, 77 A, PG-HSOG-8-1, Montaggio superficiale

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