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Infineon MOSFET canal N,, SuperSO8 230 A 100 V

Infineon MOSFET canal N,, SuperSO8 230 A 100 V, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 4.14

1

Infineon MOSFET canal N,, SuperSO8 230 A 100 V

Infineon MOSFET canal N,, SuperSO8 230 A 100 V, Type de montage: CMS, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 2.66

1

Infineon MOSFET canal N,, SuperSO8 230 A 100 V

Infineon MOSFET canal N,, SuperSO8 230 A 100 V, Type de montage: CMS, MPN: ISC022N10NM6ATMA1

EUR 4.22

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-SOT23-3 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-SOT23-3 230 mA 60 V, 3 broches, MPN: BSS138IXTSA1

EUR 0.04

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-SOT23-3 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-SOT23-3 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Série: BSS138I, MPN: BSS138IXTSA1

EUR 0.05

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-SOT23-3 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-SOT23-3 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Série: BSS138I, MPN: BSS138IXTSA1

EUR 0.03

1

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 360 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 1mm, MPN: BSS159N

EUR 0.36

1

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 360 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSS159N

EUR 0.70

1

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 360 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSS138NH6433XTMA1

EUR 0.06

1

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 360 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSS138NH6327XTSA2

EUR 0.11

1

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 360 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSS138NH6327XTSA2

EUR 0.07

1

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.4V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 360 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSS138NH6433XTMA1

EUR 0.14

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 230 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 230 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 370 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFS3107PBF

EUR 4.52

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 230 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 230 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 370 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IRFS3107PBF

EUR 5.20

1

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 230 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 230 A 75 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 370 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.3V, Hauteur: 4.83mm, MPN: IRFS3107TRLPBF

EUR 3.75

1

Infineon IGBT, IKB40N65ES5ATMA1,, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3 broches

Infineon IGBT,, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20 V, ±30 V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, MPN: IKB40N65ES5ATMA1

EUR 5.72

1

Infineon IGBT, IKB40N65ES5ATMA1,, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3 broches

Infineon IGBT,, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20 V, ±30 V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, MPN: IKB40N65ES5ATMA1

EUR 3.70

1

Infineon Transistor, NPN Simple, 70 mA, 15 V, SOT-343, 4 broches

Infineon Transistor, NPN Simple, 70 mA, 15 V, SOT-343, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 230 mW, Tension Emetteur Base maximum: 1,5 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BFP460H6327XTSA1

EUR 0.10

1

Infineon Transistor, NPN Simple, 70 mA, 15 V, SOT-343, 4 broches

Infineon Transistor, NPN Simple, 70 mA, 15 V, SOT-343, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 230 mW, Tension Emetteur Base maximum: 1,5 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BFP460H6327XTSA1

EUR 0.10

1

Infineon Transistor, NPN Simple, 70 mA, 15 V, SOT-343, 4 broches

Infineon Transistor, NPN Simple, 70 mA, 15 V, SOT-343, 4 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 230 mW, Gain en courant DC minimum: 90, Tension Emetteur Base maximum: 1,5 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.8mm, Longueur: 2mm, MPN: BFP460H6327XTSA1

EUR 0.10

1

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Longueur: 16.13mm, Largeur: 5.21mm, Hauteur: 21.1mm, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 1.91mJ, Capacité de grille: 4740pF, MPN: IHW40N65R5XKSA1

EUR 3.50

1

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 1.91mJ, Capacité de grille: 4740pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IHW40N65R5XKSA1

EUR 2.96

1

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 1.91mJ, Capacité de grille: 4740pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IHW40N65R5XKSA1

EUR 3.50

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-220AB 97 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-220AB 97 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 9.02mm, MPN: IRFB4410ZPBF

EUR 1.29

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-220AB 150 A 55 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-220AB 150 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 16.51mm, MPN: IRF1405ZPBF

EUR 1.63

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET canal N,, SuperSO8 230 A 100 V

Infineon MOSFET canal N,, SuperSO8 230 A 100 V

Infineon MOSFET canal N,, SuperSO8 230 A 100 V

Infineon MOSFET canal N,, PG-SOT23-3 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-SOT23-3 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-SOT23-3 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-23 230 mA 60 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 230 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 230 A 75 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 230 A 75 V, 3 broches

Infineon IGBT, IKB40N65ES5ATMA1,, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3 broches

Infineon IGBT, IKB40N65ES5ATMA1,, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3 broches

Infineon Transistor, NPN Simple, 70 mA, 15 V, SOT-343, 4 broches

Infineon Transistor, NPN Simple, 70 mA, 15 V, SOT-343, 4 broches

Infineon Transistor, NPN Simple, 70 mA, 15 V, SOT-343, 4 broches

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IHW40N65R5XKSA1,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon MOSFET canal N,, TO-220AB 97 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-220AB 150 A 55 V, 3 broches

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