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Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 14 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 14 A 950 V, 3 broches, MPN: IPD95R450P7ATMA1

EUR 2.53

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-SOT223 6 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-SOT223 6 A 950 V, 3 broches, MPN: IPN95R1K2P7ATMA1

EUR 0.58

1

Infineon MOSFET canal N,, To-220 FullPAK 9 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, To-220 FullPAK 9 A 950 V, 3 broches, MPN: IPA95R750P7XKSA1

EUR 2.07

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO252-3 4 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO252-3 4 A 950 V, 3 broches, MPN: IPD95R2K0P7ATMA1

EUR 0.54

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 220 FP 6 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 220 FP 6 A 950 V, 3 broches, MPN: IPA95R1K2P7XKSA1

EUR 0.81

1

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N,, PG-TO 251 4 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N,, PG-TO 251 4 A 950 V, 3 broches, MPN: IPU95R2K0P7AKMA1

EUR 1.21

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 251-3 2 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 251-3 2 A 950 V, 3 broches, MPN: IPU95R3K7P7AKMA1

EUR 0.46

1

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 14 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 14 A 950 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 450 mO, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, MPN: IPD95R450P7ATMA1

EUR 1.95

1

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 14 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 14 A 950 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 450 mO, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, MPN: IPD95R450P7ATMA1

EUR 2.76

1

Infineon MOSFET canal N,, To-220 FullPAK 9 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, To-220 FullPAK 9 A 950 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 750 mO, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: P7, MPN: IPA95R750P7XKSA1

EUR 2.25

1

Infineon MOSFET canal N,, To-220 FullPAK 9 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, To-220 FullPAK 9 A 950 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 750 mO, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: P7, MPN: IPA95R750P7XKSA1

EUR 2.25

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO252-3 4 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO252-3 4 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,002 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPD95R2K0P7ATMA1

EUR 0.59

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO252-3 4 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO252-3 4 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,002 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPD95R2K0P7ATMA1

EUR 0.75

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-SOT223 6 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-SOT223 6 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,12 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: CoolMOS P7, MPN: IPN95R1K2P7ATMA1

EUR 0.80

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-SOT223 6 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-SOT223 6 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,12 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: CoolMOS P7, MPN: IPN95R1K2P7ATMA1

EUR 0.63

1

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N,, PG-TO 251 4 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N,, PG-TO 251 4 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPU95R2K0P7AKMA1

EUR 1.03

1

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N,, PG-TO 251 4 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N,, PG-TO 251 4 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPU95R2K0P7AKMA1

EUR 1.32

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 220 FP 6 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 220 FP 6 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,12 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: CoolMOS P7, MPN: IPA95R1K2P7XKSA1

EUR 1.79

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 220 FP 6 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 220 FP 6 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,12 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: CoolMOS P7, MPN: IPA95R1K2P7XKSA1

EUR 0.88

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 251-3 2 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 251-3 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,37 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: CoolMOS P7 SJ, MPN: IPU95R3K7P7AKMA1

EUR 0.50

1

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 251-3 2 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 251-3 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,37 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Nombre d'éléments par circuit: 4, Série: CoolMOS P7 SJ, MPN: IPU95R3K7P7AKMA1

EUR 1.08

1

Infineon MOSFET canal N,, SOT-363 (SC-88) 950 mA 20 V, 6 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-363 (SC-88) 950 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.7V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSD235NH6327XTSA1

EUR 0.12

1

Infineon MOSFET canal N,, SOT-363 (SC-88) 950 mA 20 V, 6 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-363 (SC-88) 950 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.7V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSD235NH6327XTSA1

EUR 0.25

1

Infineon Transistor, PNP Simple, 3 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches

Infineon Transistor, PNP Simple, 3 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Gain en courant DC minimum: 15, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.5mm, Longueur: 6.5mm, MPN: BDP 950 H6327

EUR 0.40

1

Infineon Transistor, PNP Simple, 3 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches

Infineon Transistor, PNP Simple, 3 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 6.5 x 3.5 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,5 V, MPN: BDP 950 H6327

EUR 0.61

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 14 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-SOT223 6 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, To-220 FullPAK 9 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO252-3 4 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 220 FP 6 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N,, PG-TO 251 4 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 251-3 2 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 14 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 14 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, To-220 FullPAK 9 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, To-220 FullPAK 9 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO252-3 4 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO252-3 4 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-SOT223 6 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-SOT223 6 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N,, PG-TO 251 4 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N,, PG-TO 251 4 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 220 FP 6 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 220 FP 6 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 251-3 2 A 950 V, 3 broches

Infineon Transistor MOSFET canal N,, PG-TO 251-3 2 A 950 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-363 (SC-88) 950 mA 20 V, 6 broches

Infineon MOSFET canal N,, SOT-363 (SC-88) 950 mA 20 V, 6 broches

Infineon Transistor, PNP Simple, 3 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches

Infineon Transistor, PNP Simple, 3 A, 60 V, SOT-223, 3 + Tab broches

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