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Infineon MOSFET, canale N, 2,2 mΩ, 305 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2,2 mΩ, 305 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: IRL60B216

EUR 4.94

1

Infineon MOSFET, canale N, 2,2 mΩ, 305 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2,2 mΩ, 305 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRL60B216

EUR 4.44

1

Infineon MOSFET, canale N, 2,2 mΩ, 305 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2,2 mΩ, 305 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRL60B216

EUR 4.94

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.13mm, Larghezza: 5.21mm, Altezza: 21.1mm, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.79mJ, Capacità del gate: 2400pF, MPN: IHW40N60RFFKSA1

EUR 4.45

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.13mm, Larghezza: 5.21mm, Altezza: 21.1mm, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.65mJ, Capacità del gate: 3000pF, MPN: IKW50N65F5FKSA1

EUR 4.08

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.13mm, Larghezza: 5.21mm, Altezza: 21.1mm, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.65mJ, Capacità del gate: 3000pF, MPN: IGW50N65F5FKSA1

EUR 4.34

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.13mm, Larghezza: 5.21mm, Altezza: 21.1mm, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.7mJ, Capacità del gate: 3000pF, MPN: IGW50N65H5FKSA1

EUR 3.64

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.65mJ, Capacità del gate: 3000pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IKW50N65F5FKSA1

EUR 4.29

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.65mJ, Capacità del gate: 3000pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IGW50N65F5FKSA1

EUR 4.34

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.65mJ, Capacità del gate: 3000pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IGW50N65F5FKSA1

EUR 3.69

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.65mJ, Capacità del gate: 3000pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IKW50N65F5FKSA1

EUR 3.17

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.79mJ, Capacità del gate: 2400pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IHW40N60RFFKSA1

EUR 4.16

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.7mJ, Capacità del gate: 3000pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IGW50N65H5FKSA1

EUR 3.09

1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.79mJ, Capacità del gate: 2400pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IHW40N60RFFKSA1

EUR 4.89

1

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 305 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 0.7mJ, Capacità del gate: 3000pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IGW50N65H5FKSA1

EUR 3.64

1

Infineon IC driver LED ICL5102XUMA2, 400 (Sink)mA out, 300W, 16 Pin PG-DSO

Infineon IC driver LED ICL5102XUMA2, 400 (Sink)mA out, 300W, 16 Pin PG-DSO, Tensione di ingresso: 85 → 305 V c.a., Funzionamento della regolazione: Sì, Applicazione: Adattatore di rete, sistema di illuminazione commerciale o residenziale, applicazione interna, TV LCD, alimentatore c.a.-c.c. offline, applicazione esterna, Tensione di uscita massima: 2.5V, Tensione di uscita minima: 0V, Corrente nominale: 5.8mA, Dissipazione di potenza: 1W

EUR 3.37

1

Infineon IC driver LED ICL5102XUMA2, 400 (Sink)mA out, 300W, 16 Pin PG-DSO

Infineon IC driver LED ICL5102XUMA2, 400 (Sink)mA out, 300W, 16 Pin PG-DSO, Tensione di ingresso: 85 → 305 V c.a., Funzionamento della regolazione: Sì, Applicazione: Adattatore di rete, sistema di illuminazione commerciale o residenziale, applicazione interna, TV LCD, alimentatore c.a.-c.c. offline, applicazione esterna, Tensione di uscita massima: 2.5V, Tensione di uscita minima: 0V, Corrente nominale: 5.8mA, Dissipazione di potenza: 1W

EUR 1.84

1

Infineon IC driver LED ICL5102XUMA2, 400 (Sink)mA out, 300W, 16 Pin PG-DSO

Infineon IC driver LED ICL5102XUMA2, 400 (Sink)mA out, 300W, 16 Pin PG-DSO, Tensione di ingresso: 85 → 305 V c.a., Funzionamento della regolazione: Sì, Applicazione: Adattatore di rete, sistema di illuminazione commerciale o residenziale, applicazione interna, TV LCD, alimentatore c.a.-c.c. offline, applicazione esterna, Tensione di uscita massima: 2.5V, Tensione di uscita minima: 0V, Corrente nominale: 5.8mA, Dissipazione di potenza: 1W

EUR 3.27

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET, canale N, 2,2 mΩ, 305 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2,2 mΩ, 305 A, TO-220, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 2,2 mΩ, 305 A, TO-220, Su foro

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247

Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247

Infineon IC driver LED ICL5102XUMA2, 400 (Sink)mA out, 300W, 16 Pin PG-DSO

Infineon IC driver LED ICL5102XUMA2, 400 (Sink)mA out, 300W, 16 Pin PG-DSO

Infineon IC driver LED ICL5102XUMA2, 400 (Sink)mA out, 300W, 16 Pin PG-DSO

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