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Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC, MPN: 38DN06B02ELEMXPSA1

EUR 134.65

1

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC, Numero di elementi per chip: 1, MPN: 38DN06B02ELEMXPSA1

EUR 124.20

1

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC, Numero di elementi per chip: 1, MPN: 38DN06B02ELEMXPSA1

EUR 137.40

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 652 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 60kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.9mm, Larghezza: 5.1mm, Altezza: 22.5mm, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 22.5mm, MPN: IKY50N120CH3XKSA1

EUR 6.31

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 652 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.9mm, Larghezza: 5.1mm, Altezza: 21.1mm, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 21.1mm, MPN: IKQ50N120CT2XKSA1

EUR 10.28

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 652 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 60kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 22.5mm, Classe di efficienza energetica: 4.2mJ, Capacità del gate: 3269pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IKY50N120CH3XKSA1

EUR 6.31

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 652 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 60kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 22.5mm, Classe di efficienza energetica: 4.2mJ, Capacità del gate: 3269pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IKY50N120CH3XKSA1

EUR 6.28

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 652 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 7.1mJ, Capacità del gate: 3270pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IKQ50N120CT2XKSA1

EUR 9.62

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 652 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 7.1mJ, Capacità del gate: 3270pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IKQ50N120CT2XKSA1

EUR 11.16

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

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