Infineon MOSFET, canale P, 0,0024 Ω, 180 A, D2PAK 7pin, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale P, 0,0024 Ω, 180 A, D2PAK 7pin, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: IPB, MPN: IPB180P04P4L02ATMA2