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Infineon MOSFET, canale N, 180 A, HSOF-5, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 180 A, HSOF-5, Montaggio superficiale, MPN: IAUA180N04S5N012AUMA1

EUR 1.17

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, D2PAK (TO-263)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, D2PAK (TO-263), MPN: IPB60R180P7ATMA1

EUR 1.40

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 13 A, DPAK (TO-252)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 13 A, DPAK (TO-252), MPN: IPD60R180C7ATMA1

EUR 1.60

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 MO, 18 A, TO-247 4pin

Infineon MOSFET, canale N, 180 MO, 18 A, TO-247 4pin, MPN: IPZA60R180P7XKSA1

EUR 4.90

1

Infineon MOSFET, canale P, 0,0024 Ω, 180 A, D2PAK 7pin, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale P, 0,0024 Ω, 180 A, D2PAK 7pin, Montaggio superficiale, MPN: IPB180P04P4L02ATMA2

EUR 1.76

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, Dispersione estesa TO-220 FullPAK

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, Dispersione estesa TO-220 FullPAK, MPN: IPAW60R180P7SXKSA1

EUR 2.14

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0037 Ω, 180 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0037 Ω, 180 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, MPN: IRF1404ZSTRLPBF

EUR 1.87

1

Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,045 O, 180 A, TO247AC, Su foro

Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,045 O, 180 A, TO247AC, Su foro, MPN: AUIRFP4110

EUR 6.69

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, Dispersione estesa TO-220 FullPAK

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, Dispersione estesa TO-220 FullPAK, MPN: IPB60R040CFD7ATMA1

EUR 12.66

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0024 O, 180 A, PG-TO263-7, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0024 O, 180 A, PG-TO263-7, Montaggio superficiale, MPN: IPB024N10N5ATMA1

EUR 2.75

1

Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0011 O, 180 A, PG-TO263, Montaggio superficiale

Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0011 O, 180 A, PG-TO263, Montaggio superficiale, MPN: IPB011N04LGATMA1

EUR 5.14

1

Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0019 O, 180 A, PG-TO263, Montaggio superficiale

Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0019 O, 180 A, PG-TO263, Montaggio superficiale, MPN: IPB019N08N3GATMA1

EUR 6.68

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0017 Ω, 180 A, D2PAK 7pin (TO-263 7pin), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0017 Ω, 180 A, D2PAK 7pin (TO-263 7pin), Montaggio superficiale, MPN: IPB017N10N5LFATMA1

EUR 8.22

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0011 Ω, 180 A, D2PAK 7pin (TO-263 7pin), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0011 Ω, 180 A, D2PAK 7pin (TO-263 7pin), Montaggio superficiale, MPN: IPB180N04S4H0ATMA1

EUR 3.49

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 MO, 18 A, TO-247 4pin

Infineon MOSFET, canale N, 180 MO, 18 A, TO-247 4pin, Tensione massima drain source: 600 V, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: CoolMOS™ P7, MPN: IPZA60R180P7XKSA1

EUR 5.34

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 MO, 18 A, TO-247 4pin

Infineon MOSFET, canale N, 180 MO, 18 A, TO-247 4pin, Tensione massima drain source: 600 V, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: CoolMOS™ P7, MPN: IPZA60R180P7XKSA1

EUR 4.79

1

Infineon Varactor BB535E7904HTSA1 per Sintonizzatore TV-UHF SOD-323, 2 Pin

Infineon Varactor BB535E7904HTSA1 per Sintonizzatore TV-UHF SOD-323, 2 Pin, Configurazione diodi: Singolo, Capacità minima diodo: 1.9pF, Massima tensione inversa: 30V, Rapporto di sintonia minimo: 8.2, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Condizioni test di sintonia: 1 → 28V, Dimensioni: 1.7 x 1.25 x 1mm, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C

EUR 0.17

1

Infineon Varactor BB535E7904HTSA1 per Sintonizzatore TV-UHF SOD-323, 2 Pin

Infineon Varactor BB535E7904HTSA1 per Sintonizzatore TV-UHF SOD-323, 2 Pin, Configurazione diodi: Singolo, Capacità minima diodo: 1.9pF, Massima tensione inversa: 30V, Rapporto di sintonia minimo: 8.2, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Condizioni test di sintonia: 1 → 28V, Dimensioni: 1.7 x 1.25 x 1mm, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C

EUR 0.07

1

Infineon Varactor BB535E7904HTSA1 per Sintonizzatore TV-UHF SOD-323, 2 Pin

Infineon Varactor BB535E7904HTSA1 per Sintonizzatore TV-UHF SOD-323, 2 Pin, Configurazione diodi: Singolo, Capacità minima diodo: 1.9pF, Massima tensione inversa: 30V, Rapporto di sintonia minimo: 8.2, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Condizioni test di sintonia: 1 → 28V, Dimensioni: 1.7 x 1.25 x 1mm, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C

EUR 0.15

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 A, HSOF-5, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 180 A, HSOF-5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.4V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: IAUA, MPN: IAUA180N04S5N012AUMA1

EUR 1.28

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 A, HSOF-5, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 180 A, HSOF-5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.4V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: IAUA, MPN: IAUA180N04S5N012AUMA1

EUR 1.64

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 13 A, DPAK (TO-252)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 13 A, DPAK (TO-252), Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: IPD50R, MPN: IPD60R180C7ATMA1

EUR 2.60

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 13 A, DPAK (TO-252)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 13 A, DPAK (TO-252), Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: IPD50R, MPN: IPD60R180C7ATMA1

EUR 1.74

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, D2PAK (TO-263)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, D2PAK (TO-263), Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: IPB65R, MPN: IPB60R180P7ATMA1

EUR 2.43

1

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, D2PAK (TO-263)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, D2PAK (TO-263), Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: IPB65R, MPN: IPB60R180P7ATMA1

EUR 1.53

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET, canale N, 180 A, HSOF-5, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, D2PAK (TO-263)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 13 A, DPAK (TO-252)

Infineon MOSFET, canale N, 180 MO, 18 A, TO-247 4pin

Infineon MOSFET, canale P, 0,0024 Ω, 180 A, D2PAK 7pin, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, Dispersione estesa TO-220 FullPAK

Infineon MOSFET, canale N, 0,0037 Ω, 180 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,045 O, 180 A, TO247AC, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, Dispersione estesa TO-220 FullPAK

Infineon MOSFET, canale N, 0,0024 O, 180 A, PG-TO263-7, Montaggio superficiale

Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0011 O, 180 A, PG-TO263, Montaggio superficiale

Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0019 O, 180 A, PG-TO263, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0017 Ω, 180 A, D2PAK 7pin (TO-263 7pin), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0011 Ω, 180 A, D2PAK 7pin (TO-263 7pin), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 180 MO, 18 A, TO-247 4pin

Infineon MOSFET, canale N, 180 MO, 18 A, TO-247 4pin

Infineon Varactor BB535E7904HTSA1 per Sintonizzatore TV-UHF SOD-323, 2 Pin

Infineon Varactor BB535E7904HTSA1 per Sintonizzatore TV-UHF SOD-323, 2 Pin

Infineon Varactor BB535E7904HTSA1 per Sintonizzatore TV-UHF SOD-323, 2 Pin

Infineon MOSFET, canale N, 180 A, HSOF-5, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 180 A, HSOF-5, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 13 A, DPAK (TO-252)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 13 A, DPAK (TO-252)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, D2PAK (TO-263)

Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, D2PAK (TO-263)

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