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Infineon MOSFET, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK, Montaggio superficiale, MPN: AUIRFS8407TRL

EUR 1.85

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite, MPN: FF6MR12KM1BOSA1

EUR 390.52

1

Infineon Transistor bipolare RF NPN, 4 Pin, SOT-89, 250 mA, 5 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor bipolare RF NPN, 4 Pin, SOT-89, 250 mA, 5 V, Montaggio superficiale, MPN: BFQ790H6327XTSA1

EUR 2.26

1

Infineon Relè a stato solido PVT312LS-TPBF, Montaggio su circuito stampato, 320 A, 250 V, SPNO PVT312

EUR 4.17

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: HEXFET, MPN: AUIRFS8407TRL

EUR 2.02

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: HEXFET, MPN: AUIRFS8407TRL

EUR 2.61

1

Infineon Transistor bipolare RF NPN, 4 Pin, SOT-89, 250 mA, 5 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor bipolare RF NPN, 4 Pin, SOT-89, 250 mA, 5 V, Montaggio superficiale, Numero di elementi per chip: 1, MPN: BFQ790H6327XTSA1

EUR 2.47

1

Infineon Transistor bipolare RF NPN, 4 Pin, SOT-89, 250 mA, 5 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor bipolare RF NPN, 4 Pin, SOT-89, 250 mA, 5 V, Montaggio superficiale, Numero di elementi per chip: 1, MPN: BFQ790H6327XTSA1

EUR 1.21

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.45V, Serie: FF6MR, MPN: FF6MR12KM1BOSA1

EUR 426.02

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.45V, Serie: FF6MR, MPN: FF6MR12KM1BOSA1

EUR 435.84

1

Infineon Relè a stato solido PVT312LS-TPBF, Montaggio su circuito stampato, 320 A, 250 V, SPNO PVT312

Infineon Relè a stato solido PVT312LS-TPBF, Montaggio su circuito stampato, 320 A, 250 V, SPNO PVT312, Corrente minima di carico: 190 A, Uscita: MOSFET

EUR 2.85

1

Infineon Relè a stato solido PVT312LS-TPBF, Montaggio su circuito stampato, 320 A, 250 V, SPNO PVT312

Infineon Relè a stato solido PVT312LS-TPBF, Montaggio su circuito stampato, 320 A, 250 V, SPNO PVT312, Corrente minima di carico: 190 A, Uscita: MOSFET

EUR 4.55

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.02mm, MPN: IRLML2803GTRPBF

EUR 0.16

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Altezza: 1.02mm, MPN: IRLML2402TRPBF

EUR 0.54

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.02mm, MPN: IRLML2803TRPBF

EUR 0.46

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLML2803TRPBF

EUR 0.49

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLML2803TRPBF

EUR 0.13

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLML2402TRPBF

EUR 0.57

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLML2402TRPBF

EUR 0.13

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 114 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: IPW50R250CPFKSA1

EUR 1.32

1

Infineon Regolatore di fattore di potenza ICE3PCS01GXUMA1, 250 kHz, 25 V, DSO, 14-Pin

Infineon Regolatore di fattore di potenza ICE3PCS01GXUMA1, 250 kHz, 25 V, DSO, 14-Pin, Corrente di avviamento: 2.4mA, Corrente massima di source: -6 (Min)mA, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 8.75 x 4 x 1.5mm, Lunghezza: 8.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 4mm

EUR 1.69

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 114 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.03mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW50R250CPFKSA1

EUR 1.32

1

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 114 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.03mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW50R250CPFKSA1

EUR 1.30

1

Infineon MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: IRFS7437TRLPBF

EUR 1.95

1

Infineon Regolatore di fattore di potenza ICE3PCS01GXUMA1, 250 kHz, 25 V, DSO, 14-Pin

Infineon Regolatore di fattore di potenza ICE3PCS01GXUMA1, 250 kHz, 25 V, DSO, 14-Pin, Corrente di avviamento: 2.4mA, Tipo IC: Power Factor Controller, Corrente massima di source: -6mA, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 8.75 x 4 x 1.5mm, Lunghezza: 8.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 4mm

EUR 1.01

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon Transistor bipolare RF NPN, 4 Pin, SOT-89, 250 mA, 5 V, Montaggio superficiale

Infineon Relè a stato solido PVT312LS-TPBF, Montaggio su circuito stampato, 320 A, 250 V, SPNO PVT312

Infineon MOSFET, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK, Montaggio superficiale

Infineon Transistor bipolare RF NPN, 4 Pin, SOT-89, 250 mA, 5 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor bipolare RF NPN, 4 Pin, SOT-89, 250 mA, 5 V, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon Relè a stato solido PVT312LS-TPBF, Montaggio su circuito stampato, 320 A, 250 V, SPNO PVT312

Infineon Relè a stato solido PVT312LS-TPBF, Montaggio su circuito stampato, 320 A, 250 V, SPNO PVT312

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

Infineon Regolatore di fattore di potenza ICE3PCS01GXUMA1, 250 kHz, 25 V, DSO, 14-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 250 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Infineon Regolatore di fattore di potenza ICE3PCS01GXUMA1, 250 kHz, 25 V, DSO, 14-Pin

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