Infineon MOSFET, canale N, 5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.8V, Serie: SIPMOS, MPN: SN7002NH6327XTSA2