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Infineon Driver gate MOSFET AUIR3242STRXUMA1, 300 mA, 36V, SOIC8, 8-Pin

EUR 1.79

1

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 300 A, HSOF-8, SMD

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 300 A, HSOF-8, SMD, MPN: IPT015N10N5ATMA1

EUR 8.38

1

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, AG-ECONOD, MPN: FF300R12ME7B11BPSA1

EUR 130.52

1

Infineon Driver gate MOSFET AUIR3242STRXUMA1, 300 mA, 36V, SOIC8, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET AUIR3242STRXUMA1, 300 mA, 36V, SOIC8, 8-Pin, Tempo di discesa: 6µs

EUR 1.87

1

Infineon Driver gate MOSFET AUIR3242STRXUMA1, 300 mA, 36V, SOIC8, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET AUIR3242STRXUMA1, 300 mA, 36V, SOIC8, 8-Pin, Tempo di discesa: 6µs

EUR 1.95

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale, MPN: IAUT300N08S5N012ATMA2

EUR 3.40

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOG-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOG-8, Montaggio superficiale, MPN: IAUS300N08S5N012ATMA1

EUR 3.53

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0015 Ω, 300 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0015 Ω, 300 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale, MPN: IAUT300N10S5N015ATMA1

EUR 7.36

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPT004N03LATMA1

EUR 6.34

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPT004N03LATMA1

EUR 3.98

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1V, Altezza: 2.4mm, MPN: IPT004N03LATMA1

EUR 5.03

1

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, AG-ECONOD, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Configurazione transistor: Serie, MPN: FF300R12ME7B11BPSA1

EUR 133.18

1

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, AG-ECONOD, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Configurazione transistor: Serie, MPN: FF300R12ME7B11BPSA1

EUR 110.56

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0015 Ω, 300 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0015 Ω, 300 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Serie: OptiMOS 5, MPN: IAUT300N10S5N015ATMA1

EUR 8.02

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0015 Ω, 300 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0015 Ω, 300 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Serie: OptiMOS 5, MPN: IAUT300N10S5N015ATMA1

EUR 5.05

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: IAUT, MPN: IAUT300N08S5N012ATMA2

EUR 4.78

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOG-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOG-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: IAUS, MPN: IAUS300N08S5N012ATMA1

EUR 3.86

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: IAUT, MPN: IAUT300N08S5N012ATMA2

EUR 3.71

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOG-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOG-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: IAUS, MPN: IAUS300N08S5N012ATMA1

EUR 5.13

1

Infineon Relè a stato solido PVA3055NPBF, Montaggio su circuito stampato, 50 mA c.c., 300 V c.a./c.c., Analogico, Monopolare

Infineon Relè a stato solido PVA3055NPBF, Montaggio su circuito stampato, 50 mA c.c., 300 V c.a./c.c., Analogico, Monopolare, Configurazione contatto: Monopolare normalmente aperto, Tipo di terminale: Pin per circuito stampato, Uscita: MOSFET, Package: DIP, Tempo max. di attivazione: 60 μs, Dimensioni: 9.39 x 6.47 x 3.93mm, Capacità: 2.2pF, Gamma tensione di controllo: 0 300 V c.a./c.c., Profondità: 6.47mm, MPN: SP001546766

EUR 10.34

1

Infineon MOSFET, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.58mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPT007N06NATMA1

EUR 5.38

1

Infineon MOSFET, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.58mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPT007N06NATMA1

EUR 7.70

1

Infineon MOSFET, canale N, 3,7 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3,7 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.58mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPT020N10N3ATMA1

EUR 9.07

1

Infineon MOSFET, canale N, 3,7 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3,7 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.58mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPT020N10N3ATMA1

EUR 6.35

1

Infineon MOSFET, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1V, Altezza: 2.4mm, Lunghezza: 10.58mm, MPN: IPT007N06NATMA1

EUR 5.92

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Driver gate MOSFET AUIR3242STRXUMA1, 300 mA, 36V, SOIC8, 8-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 300 A, HSOF-8, SMD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, AG-ECONOD

Infineon Driver gate MOSFET AUIR3242STRXUMA1, 300 mA, 36V, SOIC8, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET AUIR3242STRXUMA1, 300 mA, 36V, SOIC8, 8-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOG-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0015 Ω, 300 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 300 A, AG-ECONOD

Infineon MOSFET, canale N, 0,0015 Ω, 300 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0015 Ω, 300 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOG-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOG-8, Montaggio superficiale

Infineon Relè a stato solido PVA3055NPBF, Montaggio su circuito stampato, 50 mA c.c., 300 V c.a./c.c., Analogico, Monopolare

Infineon MOSFET, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3,7 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 3,7 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

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