Pro1.pl | Voir les prix les plus bas et des offres sur !URL

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC, MPN: 38DN06B02ELEMXPSA1

EUR 134.65

1

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC, Numero di elementi per chip: 1, MPN: 38DN06B02ELEMXPSA1

EUR 137.40

1

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC, Numero di elementi per chip: 1, MPN: 38DN06B02ELEMXPSA1

EUR 124.20

1

Infineon Modulo driver IGBT IR2127STRPBF, 500 mA, 3V, SOIC, 8-Pin

EUR 2.21

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 MO, 7,6 A, Cavo stretto TO-220 FullPAK

Infineon MOSFET, canale N, 500 MO, 7,6 A, Cavo stretto TO-220 FullPAK, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, MPN: IPAN50R500CEXKSA1

EUR 1.16

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 MO, 7,6 A, Cavo stretto TO-220 FullPAK

Infineon MOSFET, canale N, 500 MO, 7,6 A, Cavo stretto TO-220 FullPAK, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, MPN: IPAN50R500CEXKSA1

EUR 1.16

1

Infineon Modulo driver IGBT IR2127STRPBF, 500 mA, 3V, SOIC, 8-Pin

Infineon Modulo driver IGBT IR2127STRPBF, 500 mA, 3V, SOIC, 8-Pin, Tempo di discesa: 40ns

EUR 2.45

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 MO, 7,6 A, Cavo stretto TO-220 FullPAK

Infineon MOSFET, canale N, 500 MO, 7,6 A, Cavo stretto TO-220 FullPAK, MPN: IPAN50R500CEXKSA1

EUR 1.06

1

Infineon Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 45 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 45 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 50 V, Frequenza operativa massima: 170 MHz, Dimensioni: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,7 V, MPN: BC817K40E6327HTSA1

EUR 0.04

1

Infineon Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 45 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 45 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 50 V, Frequenza operativa massima: 170 MHz, Dimensioni: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,7 V, MPN: BC817K40E6327HTSA1

EUR 0.10

1

Infineon Driver gate MOSFET IR21271SPBF, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR21271SPBF, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin, Topologia: Lato alto, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 5 x 4 x 1.5mm, Massima temperatura operativa: +125 °C

EUR 2.32

1

Infineon Driver gate MOSFET IR21271SPBF, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR21271SPBF, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin, Topologia: Lato alto, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 5 x 4 x 1.5mm, Massima temperatura operativa: +125 °C

EUR 2.73

1

Infineon Driver gate MOSFET IR21271PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR21271PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin, Topologia: Lato alto, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Su foro, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 10.92 x 7.11 x 5.33mm, Lunghezza: 10.92mm, Massima temperatura operativa: +125 °C

EUR 0.97

1

Infineon Driver gate MOSFET IR21271PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR21271PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin, Topologia: Lato alto, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Su foro, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 10.92 x 7.11 x 5.33mm, Lunghezza: 10.92mm, Massima temperatura operativa: +125 °C

EUR 0.96

1

Infineon Driver gate MOSFET IR2233PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 28-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR2233PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 28-Pin, Numero di uscite: 6, Topologia: High and Low Side, Dipendenza alta e bassa: Indipendente, Ponte: Half Bridge, Polarità: Invertente, Tipo di montaggio: Su foro, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 39.75 x 14.73 x 6.35mm

EUR 11.59

1

Infineon Driver gate MOSFET IR2233PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 28-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR2233PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 28-Pin, Numero di uscite: 6, Topologia: High and Low Side, Dipendenza alta e bassa: Indipendente, Ponte: Half Bridge, Polarità: Invertente, Tipo di montaggio: Su foro, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 39.75 x 14.73 x 6.35mm

EUR 11.40

1

Infineon Driver gate MOSFET IR2233JPbF, 500 mA, 20V, PLCC, 44-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR2233JPbF, 500 mA, 20V, PLCC, 44-Pin, Numero di uscite: 6, Topologia: High and Low Side, Dipendenza alta e bassa: Indipendente, Ponte: Half Bridge, Polarità: Invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 16.66 x 16.66 x 4.57 (with PIN)mm

EUR 9.82

1

Infineon Driver gate MOSFET IR2233JPBF, 500 mA, 20V, PLCC, 44-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR2233JPBF, 500 mA, 20V, PLCC, 44-Pin, Numero di uscite: 6, Topologia: High and Low Side, Dipendenza alta e bassa: Indipendente, Ponte: Half Bridge, Polarità: Invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 16.66 x 16.66 x 4.57 (with PIN)mm

EUR 8.46

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 500 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 156 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPW90R500C3FKSA1

EUR 3.57

1

Infineon Driver gate MOSFET IR21271SPBF, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR21271SPBF, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin, Tensione di alimentazione operativa minima: 10 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 20 V, Topologia: Lato alto, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Corrente di uscita di picco: 500mA, Polarità: Non-invertente, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 5 x 4 x 1.5mm, Massima temperatura operativa: +125 °C

EUR 2.19

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 500 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 156 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 5.21mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IPW90R500C3FKSA1

EUR 3.29

1

Infineon Driver gate MOSFET IR21271PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR21271PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin, Tensione di alimentazione operativa minima: 10 V, Tensione di alimentazione operativa massima: 20 V, Topologia: Lato alto, Tipo di montaggio: Su foro, Corrente di uscita di picco: 500mA, Polarità: Non-invertente, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 10.92 x 7.11 x 5.33mm, Lunghezza: 10.92mm, Massima temperatura operativa: +125 °C

EUR 3.12

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPT004N03LATMA1

EUR 6.34

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPT004N03LATMA1

EUR 3.98

1

Infineon MOSFET, canale N, 500 mΩ, 11 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 500 mΩ, 11 A, I2PAK (TO-262), Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 156 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IPI90R500C3XKSA1

EUR 1.21

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Diodo raddrizzatore e Schottky, 600V, DO-200AC

Infineon Modulo driver IGBT IR2127STRPBF, 500 mA, 3V, SOIC, 8-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 500 MO, 7,6 A, Cavo stretto TO-220 FullPAK

Infineon MOSFET, canale N, 500 MO, 7,6 A, Cavo stretto TO-220 FullPAK

Infineon Modulo driver IGBT IR2127STRPBF, 500 mA, 3V, SOIC, 8-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 500 MO, 7,6 A, Cavo stretto TO-220 FullPAK

Infineon Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 45 V, Montaggio superficiale

Infineon Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 45 V, Montaggio superficiale

Infineon Driver gate MOSFET IR21271SPBF, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR21271SPBF, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR21271PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR21271PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR2233PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 28-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR2233PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 28-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR2233JPbF, 500 mA, 20V, PLCC, 44-Pin

Infineon Driver gate MOSFET IR2233JPBF, 500 mA, 20V, PLCC, 44-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 500 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro

Infineon Driver gate MOSFET IR21271SPBF, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 500 mΩ, 11 A, TO-247, Su foro

Infineon Driver gate MOSFET IR21271PBF, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 μΩ, 300 A, HSOF, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 500 mΩ, 11 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Powered by Cobiro