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Infineon MOSFET, IRFU4510PBF, N-Canal-Canal, 56 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRFU4510PBF, N-Canal-Canal, 56 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 56 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 143 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 6.22mm, MPN: IRFU4510PBF

EUR 1.95
1

Infineon MOSFET, IRFU2405PBF, N-Canal-Canal, 56 A, 55 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRFU2405PBF, N-Canal-Canal, 56 A, 55 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 56 A, 55 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.39mm, MPN: IRFU2405PBF

EUR 0.56
1

Infineon MOSFET, IRFR3707ZTRPBF, N-Canal-Canal, 56 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, IRFR3707ZTRPBF, N-Canal-Canal, 56 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 56 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.25V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.35V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IRFR3707ZTRPBF

EUR 0.25
1

Infineon MOSFET, IPI147N12N3GAKSA1, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, IPI147N12N3GAKSA1, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) OptiMOS 3 Simple Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) OptiMOS 3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: IPI147N12N3GAKSA1

EUR 0.83
1