Pro1.pl | Voir les prix les plus bas et des offres sur !URL

Infineon MOSFET, AUIRF7675M2TR, N-Canal-Canal, 18 A, 150 V, 7-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 18 A, 150 V, 7-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si, MPN: AUIRF7675M2TR

EUR 1.99

1

Infineon MOSFET, AUIRL7736M2TR, N-Canal-Canal, 112 A, 40 V, 9-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 112 A, 40 V, 9-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si, MPN: AUIRL7736M2TR

EUR 3.31

1

Infineon MOSFET, AUIRL7736M2TR, N-Canal-Canal, 112 A, 40 V, 9-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 112 A, 40 V, 9-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,003 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, MPN: AUIRL7736M2TR

EUR 3.61

1

Infineon MOSFET, AUIRF7675M2TR, N-Canal-Canal, 18 A, 150 V, 7-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 18 A, 150 V, 7-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,056 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: AUIRF7675M2TR

EUR 2.17

1

Infineon MOSFET, AUIRF7675M2TR, N-Canal-Canal, 18 A, 150 V, 7-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 18 A, 150 V, 7-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,056 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: AUIRF7675M2TR

EUR 1.88

1

Infineon MOSFET, AUIRL7736M2TR, N-Canal-Canal, 112 A, 40 V, 9-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 112 A, 40 V, 9-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,003 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, MPN: AUIRL7736M2TR

EUR 2.09

1

Infineon IGBT, IKWH50N65WR6XKSA1, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple

Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 103 W, Configuración: Único, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: IKWH50N65WR6XKSA1

EUR 3.06

1

Infineon IGBT, IKWH50N65WR6XKSA1, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple

Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 103 W, Configuración: Único, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: IKWH50N65WR6XKSA1

EUR 3.57

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET, AUIRF7675M2TR, N-Canal-Canal, 18 A, 150 V, 7-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, AUIRL7736M2TR, N-Canal-Canal, 112 A, 40 V, 9-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, AUIRL7736M2TR, N-Canal-Canal, 112 A, 40 V, 9-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, AUIRF7675M2TR, N-Canal-Canal, 18 A, 150 V, 7-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, AUIRF7675M2TR, N-Canal-Canal, 18 A, 150 V, 7-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon MOSFET, AUIRL7736M2TR, N-Canal-Canal, 112 A, 40 V, 9-Pin, CAN media DirectFET HEXFET Si

Infineon IGBT, IKWH50N65WR6XKSA1, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple

Infineon IGBT, IKWH50N65WR6XKSA1, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple

Powered by Cobiro