Infineon Transistor MOSFET & Diodo, IPB019N08N3GATMA1, Dual, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, PG-TO263 OptiMOS 3
Infineon Transistor MOSFET & Diodo, Dual, N-Canal-Canal, 180 A, 80 V, 3-Pin, PG-TO263 OptiMOS 3, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0019 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, MPN: IPB019N08N3GATMA1