Infineon MOSFET, IPT004N03LATMA1, N-Canal-Canal, 300 A, 30 V, 8 + Tab-Pin, HSOF OptiMOS
Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 300 A, 30 V, 8 + Tab-Pin, HSOF OptiMOS, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 500 μΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.7V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1V, Altura: 2.4mm, MPN: IPT004N03LATMA1