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IXYS Module IGBT, MIXA450PF1200TSF,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série

IXYS Module IGBT,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 kW, Configuration: Double, Type de montage: Montage sur CI, Dimensions: 152 x 62 x 17mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS Module IGBT, MIXA450PF1200TSF,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série

IXYS Module IGBT,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 kW, Configuration: Double, Type de montage: Montage sur CI, Dimensions: 152 x 62 x 17mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 400mV, Diametro: 42mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 65.78

1

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1V, Diametro: 42mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 64.56

1

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 1V, Diametro: 42mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 68.54

1

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 400mV, Diametro: 42mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 69.25

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 880 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 10 to 30kHz, Dimensions: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Indice énergétique: 3mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 13.05

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 880 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 10 to 30kHz, Dimensions: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Indice énergétique: 3mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 11.98

1

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 5 to 30kHz, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Indice énergétique: 5.2mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 10.35

1

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 5 to 30kHz, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Indice énergétique: 5.2mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 11.75

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN150N65X2

EUR 39.64

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 150 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 150 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,56 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 20.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFB150N65X2

EUR 31.57

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN150N65X2

EUR 43.14

1

IXYS MOSFET canal N,, TO264P 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO264P 120 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 20.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK120N65X2

EUR 19.42

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 23 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTX120N65X2

EUR 20.09

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,17 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN170N65X2

EUR 47.02

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,17 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN170N65X2

EUR 43.88

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 400mV, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 69.25

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 68.54

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 400mV, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 65.78

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 64.56

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 kW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 11, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 152 x 62 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 kW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 11, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 152 x 62 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 330 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTR102N65X2

EUR 18.31

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 330 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTR102N65X2

EUR 20.55

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Module IGBT, MIXA450PF1200TSF,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série

IXYS Module IGBT, MIXA450PF1200TSF,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diodo, Capsula, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 150 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO264P 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches

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