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IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 56.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN36N100

EUR 62.53

1

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 55.15

1

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN100N50Q3

EUR 57.88

1

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN100N50Q3

EUR 54.00

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN36N100

EUR 66.57

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 780 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N80Q3

EUR 52.84

1

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN22N100L

EUR 56.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 990 mΩ, 17 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 990 mΩ, 17 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTK17N120L

EUR 59.68

1

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N100Q3

EUR 57.88

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 62 A 500 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 62 A 500 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 800 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTN62N50L

EUR 67.28

2

IXYS MOSFET, canale N, 13 mΩ, 132 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 13 mΩ, 132 A, SMPD, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 24, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 570 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 25.25mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: MMIX1F180N25T

EUR 50.65

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 780 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N80Q3

EUR 56.25

1

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N100Q3

EUR 54.00

1

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN22N100L

EUR 53.27

1

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 780 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN32N100Q3

EUR 56.25

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 800 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN62N50L

EUR 64.93

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 17 A 1200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 17 A 1200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 990 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 700 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 19.96mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTK17N120L

EUR 59.67

2

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 780 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN32N100Q3

EUR 63.08

1

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 132 A 250 V, 24 broches

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 132 A 250 V, 24 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 570 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 25.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MMIX1F180N25T

EUR 50.65

1

IXYS MOSFET, IXTN46N50L, N-Canal-Canal, 46 A, 500 V, 4-Pin, SOT-227B Linear Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 46 A, 500 V, 4-Pin, SOT-227B Linear Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 160 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6V, Disipación de Potencia Máxima: 700 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 55.15

1

IXYS MOSFET, MMIX1F180N25T, N-Canal-Canal, 132 A, 250 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 132 A, 250 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 570 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 25.25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMIX1F180N25T

EUR 50.65

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 22 A 1 000 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 22 A 1 000 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 700 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTN22N100L

EUR 56.36

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 46 A 500 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 46 A 500 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6V, Dissipation de puissance maximum: 700 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 55.15

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 990 mΩ, 17 A, TO-264, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 62 A 500 V, 4 broches

IXYS MOSFET, canale N, 13 mΩ, 132 A, SMPD, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 17 A 1200 V, 3 broches

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 28 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 132 A 250 V, 24 broches

IXYS MOSFET, IXTN46N50L, N-Canal-Canal, 46 A, 500 V, 4-Pin, SOT-227B Linear Simple Si

IXYS MOSFET, MMIX1F180N25T, N-Canal-Canal, 132 A, 250 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 22 A 1 000 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 46 A 500 V, 4 broches

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