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IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.15mm, Longueur: 10.66mm, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.48

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 3.77

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.67

1

IXYS IGBT, IXGH100N30C3,, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 3.94

1

IXYS IGBT, IXGH100N30C3,, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 4.11

1

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 4.11

1

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 3.94

1

IXYS MOSFET, IXTP36N30P, N-Canal-Canal, 36 A, 300 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 36 A, 300 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 3.77

1

IXYS IGBT, IXGH100N30C3, N-Canal, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 3.94

1

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 380 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH20N50P3

EUR 4.93

1

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTH12N65X2

EUR 3.61

1

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTH12N65X2

EUR 4.24

1

IXYS IGBT, IXGH100N30C3, N-Canal, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3-Pines Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 16.26mm, Ancho: 5.3mm, Altura: 21.46mm, Dimensiones: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGH100N30C3

EUR 4.11

1

IXYS MOSFET, IXTP36N30P, N-Canal-Canal, 36 A, 300 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 36 A, 300 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 9.15mm, Longitud: 10.66mm, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.48

1

IXYS MOSFET, IXTP36N30P, N-Canal-Canal, 36 A, 300 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 36 A, 300 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.67

1

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 mA rms/mA dc, 300 mA dc, ac / dc, MOSFET, SP-NC

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 mA rms/mA dc, 300 mA dc, ac / dc, MOSFET, SP-NC, Corriente de Carga Máxima: 0,3 A, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tipo de Encapsulado: Pequeño - 6 pines, Tiempo de Activación Máximo: 5 ms, Dimensiones: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Número de polos: 1, Tipo de relé: OptoMOS, Capacidad: 50pF, Profundidad: 6.35mm, Altura: 3.3mm, Longitud: 8.38mm, MPN: LCB127S

EUR 3.49

1

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 300 mA dc, 600 mA rms/mA dc, 10 V, ac / dc, MOSFET, SPNO

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 300 mA dc, 600 mA rms/mA dc, 10 V, ac / dc, MOSFET, SPNO, Corriente de Carga Máxima: 0,3 A, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tiempo de Activación Máximo: 100 μs, Dimensiones: 9.652 x 6.35 x 3.302mm, Rango de Tensión de Carga: Máximo de 10V, Tipo de relé: Unidireccional, Capacidad: 220pF, Profundidad: 6.35mm, Altura: 3.3mm, MPN: CPC1560GS

EUR 2.28

1

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.48

1

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 3.77

1

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.67

1

IXYS MOSFET, canale N, 400 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 400 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH16N50P

EUR 4.76

1

IXYS MOSFET, canale N, 1,1 Ω, 10 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 1,1 Ω, 10 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFP10N80P

EUR 4.99

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 10 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 10 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFP10N80P

EUR 4.99

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 380 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH20N50P3

EUR 4.93

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 16 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 16 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 400 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH16N50P

EUR 4.76

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 36 A 300 V, 3 broches

IXYS IGBT, IXGH100N30C3,, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGH100N30C3,, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 300 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD

IXYS MOSFET, IXTP36N30P, N-Canal-Canal, 36 A, 300 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS IGBT, IXGH100N30C3, N-Canal, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3-Pines Simple

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS IGBT, IXGH100N30C3, N-Canal, 75 A, 300 V, TO-247AD, 3-Pines Simple

IXYS MOSFET, IXTP36N30P, N-Canal-Canal, 36 A, 300 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP36N30P, N-Canal-Canal, 36 A, 300 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 mA rms/mA dc, 300 mA dc, ac / dc, MOSFET, SP-NC

IXYS Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 300 mA dc, 600 mA rms/mA dc, 10 V, ac / dc, MOSFET, SPNO

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 400 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 1,1 Ω, 10 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET canal N,, A-220 10 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 16 A 500 V, 3 broches

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