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IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20kHz, Dimensions: 10.66 x 4.83 x 16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.63

1

IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20kHz, Longueur: 10.66mm, Largeur: 4.83mm, Hauteur: 16mm, Dimensions: 10.66 x 4.83 x 16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.76

1

IXYS IGBT, IXGP20N120B3, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines, 20kHz Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines, 20kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 10.66mm, Ancho: 4.83mm, Altura: 16mm, Dimensiones: 10.66 x 4.83 x 16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.76

1

IXYS IGBT, IXGP20N120B3, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines, 20kHz Simple

IXYS IGBT, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines, 20kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10.66 x 4.83 x 16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.63

1

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTH12N65X2

EUR 3.61

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10.66mm, Larghezza: 4.83mm, Altezza: 16mm, Dimensioni: 10.66 x 4.83 x 16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.76

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.83 x 16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.63

1

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTH12N65X2

EUR 4.24

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTH12N65X2

EUR 3.61

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IXYS MOSFET, IXTH12N65X2, N-Canal-Canal, 12 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 300 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.4V, MPN: IXTH12N65X2

EUR 3.61

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.24mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTH12N65X2

EUR 4.24

1

IXYS MOSFET, IXTH12N65X2, N-Canal-Canal, 12 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 X2-Class Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 300 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.24mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTH12N65X2

EUR 4.24

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGP20N120B3, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines, 20kHz Simple

IXYS IGBT, IXGP20N120B3, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines, 20kHz Simple

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET, IXTH12N65X2, N-Canal-Canal, 12 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 X2-Class Simple Si

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET, IXTH12N65X2, N-Canal-Canal, 12 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 X2-Class Simple Si

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