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IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.33

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.81

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 12 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 12 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.15mm, Longueur: 10.66mm, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.33

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.24

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 26 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 26 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 240 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 3.63

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 26 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 26 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 240 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 2.79

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 26 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 26 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 240 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 20.3mm, Longueur: 15.8mm, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 3.63

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 12 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 12 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.81

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 12 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 12 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.24

1

IXYS MOSFET, IXFP12N50P, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 500 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 200000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 9.15mm, Longitud: 10.66mm, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.33

1

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 2.79

1

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 3.63

1

IXYS MOSFET, IXFP12N50P, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 500 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 200000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.81

1

IXYS MOSFET, IXFP12N50P, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 500 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.24

1

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.3mm, Longitud: 15.8mm, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 3.63

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 34 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 34 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 175 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 695 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.95

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 60 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 20.3mm, Longueur: 15.8mm, MPN: IXFQ60N50P3

EUR 4.26

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 34 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 34 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 175 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 695 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.91

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTP8N65X2

EUR 1.76

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTP8N65X2

EUR 2.19

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 34 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 34 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 175 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 695 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.95

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTP8N65X2

EUR 2.19

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 380 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH20N50P3

EUR 4.93

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 16 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 16 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 400 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH16N50P

EUR 4.76

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTY8N65X2

EUR 0.79

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET canal N,, A-220 12 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 26 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 26 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 26 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 12 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 12 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET, IXFP12N50P, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFP12N50P, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFP12N50P, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET canal N,, A-247 34 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 60 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 34 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET canal N,, A-247 34 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 16 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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