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IXYS Module IGBT, MIXA450PF1200TSF,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série

IXYS Module IGBT,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 kW, Configuration: Double, Type de montage: Montage sur CI, Dimensions: 152 x 62 x 17mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS Module IGBT, MIXA450PF1200TSF,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série

IXYS Module IGBT,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 kW, Configuration: Double, Type de montage: Montage sur CI, Dimensions: 152 x 62 x 17mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 880 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 10 to 30kHz, Dimensions: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Indice énergétique: 3mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 13.05

1

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 5 to 30kHz, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Indice énergétique: 5.2mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 10.35

1

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 880 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 10 to 30kHz, Dimensions: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Indice énergétique: 3mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 11.98

1

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 625 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 5 to 30kHz, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Indice énergétique: 5.2mJ, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 11.75

1

IXYS MOSFET canal N,, TO264P 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO264P 120 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 20.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK120N65X2

EUR 19.42

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,17 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN170N65X2

EUR 47.02

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 150 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 150 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,56 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 20.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFB150N65X2

EUR 31.57

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 23 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTX120N65X2

EUR 20.09

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN150N65X2

EUR 43.14

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 17 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN150N65X2

EUR 39.64

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,17 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN170N65X2

EUR 43.88

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 330 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTR102N65X2

EUR 18.31

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 330 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTR102N65X2

EUR 20.55

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 23 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTX120N65X2

EUR 20.43

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 23 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTX120N65X2

EUR 21.40

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 52 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 780 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH60N65X2

EUR 10.21

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 52 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 780 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.05mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFT60N65X2HV

EUR 12.76

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 52 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 780 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.05mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFT60N65X2HV

EUR 11.00

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 80 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 80 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 38 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 890 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2

EUR 11.81

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 52 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 780 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH60N65X2

EUR 11.85

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 400mV, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 69.25

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 64.56

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 400mV, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 65.78

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Module IGBT, MIXA450PF1200TSF,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série

IXYS Module IGBT, MIXA450PF1200TSF,, 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXK110N65B4H1,, 570 A, 650 V, TO-264, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXXH80N65B4H1,, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple

IXYS MOSFET canal N,, TO264P 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 150 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 145 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT227 170 A 650 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 54 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 120 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-268HV 60 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 80 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 60 A 650 V, 3 broches

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

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