Pro1.pl | Voir les prix les plus bas et des offres sur !URL

IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20kHz, Dimensions: 10.66 x 4.83 x 16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.63

1

IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20kHz, Dimensions: 10.66 x 4.83 x 16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 5.44

1

IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20kHz, Longueur: 10.66mm, Largeur: 4.83mm, Hauteur: 16mm, Dimensions: 10.66 x 4.83 x 16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.76

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.24mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTH12N65X2

EUR 4.24

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.4V, MPN: IXTH12N65X2

EUR 3.61

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.24mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTH12N65X2

EUR 5.02

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXGP20N120B3,, 80 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 12 A 650 V, 3 broches

Powered by Cobiro