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IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 50kHz, Longueur: 16.26mm, Largeur: 5.3mm, Hauteur: 21.46mm, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 14.32

1

IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 1 250 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 50kHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 14.06

1

IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 1 250 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 50kHz, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IXYH82N120C3

EUR 15.96

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 714 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH120N20P

EUR 12.07

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 18 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 680 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 9.6mm, Longueur: 38.23mm, MPN: IXFN140N20P

EUR 21.90

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 74 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 74 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH74N20P

EUR 6.89

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 70 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 70 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 690 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH70N20Q3

EUR 4.82

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 600 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH96N20P

EUR 7.72

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 714 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH120N20P

EUR 11.29

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 50 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 50 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 9.15mm, Longueur: 10.66mm, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.18

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 18 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 680 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFN140N20P

EUR 23.90

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 70 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 70 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 690 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH70N20Q3

EUR 4.74

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 600 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH96N20P

EUR 8.38

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 70 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 70 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 690 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 16.26mm, MPN: IXFH70N20Q3

EUR 4.82

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 50 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 50 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.04

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 74 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 74 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH74N20P

EUR 7.18

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 74 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 74 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH74N20P

EUR 5.78

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 50 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 50 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.76

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 18 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 680 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFN140N20P

EUR 25.93

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 600 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH96N20P

EUR 7.24

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 714 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFH120N20P

EUR 13.12

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 200 A 100 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 200 A 100 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 7,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 680 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFN200N10P

EUR 25.93

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 200 A 100 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 200 A 100 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 7,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 680 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXFN200N10P

EUR 23.90

1

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: Petite : 6 broches, Durée maximale de mise sous tension: 3 ms, Dimensions: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 35pF, Profondeur: 6.35mm, Hauteur: 3.3mm, Longueur: 8.38mm, MPN: LCA110LS

EUR 1.79

1

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface, Type de commutation: c.a./c.c., Configuration de contact: 1NO, Type de raccordement: Broche CI, Durée maximale de mise sous tension: 5 ms, Dimensions: 8.382 x 6.35 x 3.302mm, Type de relais: OptoMOS, Capacité: 35pF, Profondeur: 6.35mm, Hauteur: 3.3mm, Longueur: 8.38mm, Courant de fuite à l'état bloqué: 1 μA, MPN: LCA100LS

EUR 1.68

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXYH82N120C3,, 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 74 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 70 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 50 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 70 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 70 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 50 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 74 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 74 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 50 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 200 A 100 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 200 A 100 V, 4 broches

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

IXYS Relais statique,, 120 mA rms/mA c.c., 200 mA c.c., Montage en surface

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