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IXYS IGBT, IXA12IF1200HB,, 20 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 20 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IXA12IF1200HB

EUR 4.09

1

IXYS IGBT, IXA12IF1200PB,, 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 10.66 x 4.82 x 16mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IXA12IF1200PB

EUR 3.52

1

IXYS IGBT, IXA12IF1200HB,, 20 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 20 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IXA12IF1200HB

EUR 3.48

1

IXYS IGBT, IXA12IF1200PB,, 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 10.66 x 4.82 x 16mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IXA12IF1200PB

EUR 3.17

1

IXYS IGBT, IXA12IF1200PB,, 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Type de montage: Traversant, Longueur: 10.66mm, Largeur: 4.82mm, Hauteur: 16mm, Dimensions: 10.66 x 4.82 x 16mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IXA12IF1200PB

EUR 3.14

1

IXYS IGBT, IXA12IF1200HB,, 20 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT,, 20 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Type de montage: Traversant, Longueur: 16.26mm, Largeur: 5.3mm, Hauteur: 21.46mm, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IXA12IF1200HB

EUR 3.97

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 20 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 20 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 290 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFR32N80P

EUR 16.92

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 20 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 20 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 290 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFR32N80P

EUR 14.91

1

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 20 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 20 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 290 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 21.34mm, Longueur: 16.13mm, MPN: IXFR32N80P

EUR 16.08

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 380 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH20N50P3

EUR 5.79

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 380 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH20N50P3

EUR 4.93

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 380 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH20N50P3

EUR 5.79

1

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 50 A 600 V, 9 broches

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 50 A 600 V, 9 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MKE38RK600DFELB

EUR 19.13

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 94 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 94 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 36 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 20.3mm, Longueur: 15.8mm, MPN: IXFQ94N30P3

EUR 12.14

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH110N10P

EUR 6.72

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 18 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 680 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 9.6mm, Longueur: 38.23mm, MPN: IXFN140N20P

EUR 21.90

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 94 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 94 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 36 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,04 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH94N30P3

EUR 12.69

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 150 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 150 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 19 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 26.16mm, Longueur: 19.96mm, MPN: IXFK150N30P3

EUR 20.74

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,13 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 26.16mm, Longueur: 19.96mm, MPN: IXFK120N30P3

EUR 16.22

1

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 300 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 300 V, 4 broches, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 700 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 9.6mm, Longueur: 38.2mm, MPN: IXFN140N30P

EUR 31.23

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 22 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 714 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH120N20P

EUR 12.07

1

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 480 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH96N15P

EUR 6.72

1

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 150 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 150 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 19 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,3 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.34mm, Longueur: 16.13mm, MPN: IXFX150N30P3

EUR 12.07

1

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 600 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 21.46mm, Longueur: 16.26mm, MPN: IXFH120N15P

EUR 8.48

1

IXYS MOSFET canal N,, A-220 75 A 100 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 75 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 25 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IXTP75N10P

EUR 4.57

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, IXA12IF1200HB,, 20 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXA12IF1200PB,, 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXA12IF1200HB,, 20 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXA12IF1200PB,, 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXA12IF1200PB,, 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple

IXYS IGBT, IXA12IF1200HB,, 20 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 20 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 20 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, ISOPLUS247 20 A 800 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 20 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SMPD 50 A 600 V, 9 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-3P 94 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 110 A 100 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 200 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 94 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 150 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-264 120 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, SOT-227B 115 A 300 V, 4 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 120 A 200 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-247 96 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, PLUS247 150 A 300 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, TO-247AD 120 A 150 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N,, A-220 75 A 100 V, 3 broches

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