IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 210 A 300 V, 3 broches
IXYS MOSFET canal N,, PLUS264 210 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 14,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 1,89 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 26.59mm, Longueur: 20.29mm, MPN: IXFB210N30P3