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IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 327 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 16mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXFP14N60P3

EUR 1.62

1

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 327 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFP14N60P3

EUR 1.81

1

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 327 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFP14N60P3

EUR 1.39

1

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH36N50P

EUR 9.83

1

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH36N50P

EUR 8.83

1

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH36N50P

EUR 10.03

1

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 40kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.26mm, Larghezza: 5.3mm, Altezza: 21.46mm, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXGH72N60B3

EUR 3.93

1

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 40kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH72N60B3

EUR 4.48

1

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 40kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH72N60B3

EUR 3.64

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXFH34N65X2

EUR 7.03

1

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTH34N65X2

EUR 6.03

1

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTH34N65X2

EUR 6.84

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH34N65X2

EUR 7.81

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH34N65X2

EUR 6.73

1

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTH34N65X2

EUR 4.57

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

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