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IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 kW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 11, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 152 x 62 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 kW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 11, Configurazione transistor: Serie, Dimensioni: 152 x 62 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF

EUR 140.84

1

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 625 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 5 to 30kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Classe di efficienza energetica: 5.2mJ, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 11.75

1

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 880 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 10 to 30kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Classe di efficienza energetica: 3mJ, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 13.05

1

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 880 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 10 to 30kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Classe di efficienza energetica: 3mJ, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1

EUR 11.98

1

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 625 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 5 to 30kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Classe di efficienza energetica: 5.2mJ, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXXH80N65B4H1

EUR 10.35

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 650 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH36N60P

EUR 10.58

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 650 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH36N60P

EUR 12.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 650 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH36N60P

EUR 10.64

1

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 44 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 44 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 650 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH44N50P

EUR 10.64

1

IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 890 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2-4

EUR 14.98

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXFK100N65X2

EUR 17.21

1

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 44 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 44 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 650 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH44N50P

EUR 10.64

1

IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 890 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2

EUR 11.81

1

IXYS MOSFET, canale N, 23 mΩ, 120 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 23 mΩ, 120 A, TO-264P, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTK120N65X2

EUR 21.06

1

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTH12N65X2

EUR 3.61

1

IXYS MOSFET, canale N, 17 mΩ, 145 A, SOT227, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 17 mΩ, 145 A, SOT227, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN150N65X2

EUR 39.64

1

IXYS MOSFET, canale N, 33 mΩ, 54 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 33 mΩ, 54 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 330 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTR102N65X2

EUR 20.55

1

IXYS MOSFET, canale N, 400 mΩ, 24 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 400 mΩ, 24 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 650 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH24N80P

EUR 10.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 890 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH80N65X2-4

EUR 13.20

1

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 44 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 44 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 650 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH44N50P

EUR 12.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 33 mΩ, 54 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 33 mΩ, 54 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 330 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTR102N65X2

EUR 18.31

1

IXYS MOSFET, canale N, 23 mΩ, 120 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 23 mΩ, 120 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTX120N65X2

EUR 20.43

1

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTK102N65X2

EUR 14.96

1

IXYS MOSFET, canale N, 17 mΩ, 145 A, SOT227, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 17 mΩ, 145 A, SOT227, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN150N65X2

EUR 43.14

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F

IXYS Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, SimBus F

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264

IXYS IGBT, VCE 650 V, IC 430 A, canale N, TO-247AD

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 44 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 44 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 23 mΩ, 120 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 17 mΩ, 145 A, SOT227, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 33 mΩ, 54 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 400 mΩ, 24 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 140 mΩ, 44 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 33 mΩ, 54 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 23 mΩ, 120 A, PLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 30 mΩ, 100 A, TO-264P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 17 mΩ, 145 A, SOT227, Montaggio superficiale

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