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IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTH12N65X2

EUR 3.61

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.83 x 16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.63

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10.66mm, Larghezza: 4.83mm, Altezza: 16mm, Dimensioni: 10.66 x 4.83 x 16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 4.76

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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.83 x 16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGP20N120B3

EUR 5.44

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IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTH12N65X2

EUR 4.24

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IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTH12N65X2

EUR 5.02

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Prix (EUR)

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-220

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IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

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