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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA27IF1200HJ

EUR 8.53

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 78 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 78 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 325 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA45IF1200HB

EUR 9.90

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30V, Dissipazione di potenza massima: 937 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYX30N170CV1

EUR 18.45

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30V, Dissipazione di potenza massima: 937 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYX30N170CV1

EUR 20.51

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA27IF1200HJ

EUR 9.90

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 165 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.82 x 16mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA20I1200PB

EUR 4.05

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 78 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 78 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 325 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA45IF1200HB

EUR 8.53

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30V, Dissipazione di potenza massima: 937 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH30N170C

EUR 13.34

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 165 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.82 x 16mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA20I1200PB

EUR 3.45

1

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30V, Dissipazione di potenza massima: 937 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH30N170C

EUR 15.14

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 195 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA37IF1200HJ

EUR 10.47

1

IXYS MOSFET, canale N, 360 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 360 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 330 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH16N50P3

EUR 6.58

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 195 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA37IF1200HJ

EUR 9.23

1

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3P, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3P, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 695 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.3mm, Lunghezza: 15.8mm, MPN: IXFQ34N50P3

EUR 7.48

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 290 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA55I1200HJ

EUR 12.53

1

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 695 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.95

1

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH36N50P

EUR 9.83

1

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.34mm, Lunghezza: 16.13mm, MPN: IXFR48N60Q3

EUR 12.61

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 650 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH36N60P

EUR 10.58

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 290 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.34mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA55I1200HJ

EUR 14.20

1

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXTP36N30P

EUR 4.48

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA12IF1200HB

EUR 4.09

1

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.6mm, Lunghezza: 38.2mm, MPN: IXFN140N30P

EUR 31.23

1

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 280 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 280 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 40kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXGH48N60B3

EUR 5.51

1

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.66 x 4.82 x 16mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IXA12IF1200PB

EUR 3.17

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 78 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 78 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220

IXYS IGBT, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS MOSFET, canale N, 360 mΩ, 16 A, TO-247, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3P, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS MOSFET, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 170 mΩ, 36 A, TO-247AD, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 36 A, TO-247, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 84 A, canale N, ISOPLUS247

IXYS MOSFET, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247

IXYS MOSFET, canale N, 24 mΩ, 115 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS IGBT, VCE 600 V, IC 280 A, canale N, TO-247

IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220

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